技术总结
本发明一种在金属氮化镓复合衬底上外延无裂纹高晶体质量LED外延层的方法：首先在N2气氛，750-850℃，反应室压力300torr下,将金属GaN复合衬底退火处理后，以0.2-1.0微米/小时的低速率生长100-300纳米厚的低温GaN应力释放层；然后在H2气氛、950-1050℃下，以从1微米/小时线性变化到3微米/小时的变速率生长1-2微米厚的高温非掺杂GaN缓冲层；接着以恒定生长速率生长1-2微米厚的n型GaN层；然后在N2气氛、750-850℃下，生长多周期InGaN/GaN多量子阱有源区；接着在H2气氛、950-1000℃下，生长p型AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层、p型GaN层；通过优化金属衬底生长初期载气、生长温度及生长速率等参数，有效缓解GaN外延层和金属衬底之间热失配，防止GaN分解，在金属衬底上制备出高质量GaN基LED外延层。
技术研发人员：贾传宇;殷淑仪;张国义
受保护的技术使用者：东莞市中镓半导体科技有限公司
文档号码：201510395363
技术研发日：2015.07.04
技术公布日：2017.01.11