1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：
加工子腔，在所述加工子腔内设置有基座；
存放子腔，设置在所述加工子腔的一侧，且具有与所述加工子腔相连通的通道；
加热灯组件，设置在所述加工子腔内，且位于所述基座上方，用于采用热辐射的方式加热晶片；
预清洗装置，包括下电极板、上电极板、进气机构和射频电源，其中，所述下电极板设置在所述基座上，所述下电极板的上表面用于承载晶片；所述下电极板与所述基座电绝缘，并且与所述射频电源电连接；所述进气机构用于向所述加工子腔内通入工艺气体；所述上电极板接地，并且通过驱动所述上电极板运动，而使其位于所述加工子腔内与所述下电极板相对的第一位置处，或者位于所述存放子腔内的第二位置处；
顶针升降机构，包括至少三个顶针和顶针升降装置，其中，所述至少三个顶针设置在所述基座下方，且沿所述基座的周向间隔分布；所述顶针升降装置用于驱动所述至少三个顶针贯穿所述基座和所述下电极板上升或下降，以使其顶端高于或低于所述下电极板的上表面。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括旋转驱动机构，所述旋转驱动机构包括：
旋转轴，竖直设置在所述加工子腔内，且位于所述通道所在一侧，并且所述旋转轴与所述上电极板连接；
旋转电机，用于驱动所述旋转轴旋转，从而带动所述上电极板经由所述通道旋转至所述第一位置或者所述第二位置。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述旋转轴采用导电材料制作，且接地，并且所述旋转轴与所述上电极板电连接。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述旋转轴与所述上电极板通过螺纹连接实现固定和电连接。
5.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括连杆驱动机构，所述连杆驱动机构包括：
连杆，其包括固定端和伸缩端，所述固定端位于所述存放子腔内，所述伸缩端与所述上电极板连接；
驱动源，用于驱动所述伸缩端相对于所述固定端经由所述通道伸出至所述第一位置，或者回缩至所述第二位置。
6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述连杆采用导电材料制作，且接地，并且所述连杆与所述上电极板电连接。
7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述连杆与所述上电极板通过螺纹连接实现固定和电连接。
8.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述预清洗装置还包括电连接件，所述电连接件的上端与所述下电极板电连接，所述电连接件的下端竖直向下延伸至所述加工子腔之外，并与所述射频电源电连接。
9.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括介质窗，所述介质窗设置在所述加工子腔内，并将其隔离形成上部空间和下部空间，其中，
所述加热灯组件位于所述上部空间内，并透过所述介质窗朝向所述基座的方向辐射热量；
所述通道与所述下部空间相连通；所述基座、下电极板和上电极板均位于所述下部空间内。
10.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括基座驱动装置，用于驱动所述基座和设置在其上的所述下电极板同步上升或下降。
11.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-10任意一项所述的工艺腔室。
12.一种去气和预清洗的方法，其特征在于，采用权利要求1-10任意一项所述的工艺腔室先后进行去气和预清洗工艺，包括以下步骤：
S1，利用所述顶针升降装置驱动所述至少三个顶针上升，以使其顶端高于所述下电极板的上表面；
S2，将晶片传入所述加工子腔，并放置于所述至少三个顶针的顶端；
S3，开启所述加热灯组件，进行所述去气工艺；
S4，待所述去气工艺完成后，关闭所述加热灯组件，并利用所述顶针升降装置驱动所述至少三个顶针下降，直至所述晶片被传递至所述下电极板的上表面；
S5，驱动所述上电极板运动，直至其位于所述第一位置处；
S6，利用所述进气机构向所述加工子腔通入工艺气体，并开启所述射频电源，进行所述预清洗工艺；
S7，待所述预清洗工艺完成后，关闭所述进气机构和射频电源，并驱动所述上电极板运动，直至其位于所述第二位置处。