技术总结
本发明提供的工艺腔室及半导体加工设备，其包括：加工子腔，其内设置有基座；存放子腔设置在加工子腔的一侧，具有与加工子腔相连通的通道；加热灯组件用于采用热辐射的方式加热晶片；顶针升降机构包括至少三个顶针和顶针升降装置；预清洗装置包括下电极板、上电极板、进气机构和射频电源，下电极板设置在基座上，其上表面用于承载晶片；下电极板与基座电绝缘，且与射频电源电连接；进气机构用于向加工子腔内通入工艺气体；上电极板接地，通过驱动上电极板运动，而使其位于加工子腔内与下电极板相对的第一位置处，或者位于存放子腔内的第二位置处。本发明提供的工艺腔室，其不仅可以提高简化传输过程、提高传输效率，而且有助于提高设备的产能。
技术研发人员：武学伟;赵梦欣
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2015.09.16
技术公布日：2018.11.06