1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底表面形成界面层；
对所述界面层进行第一退火处理，所述第一退火处理在含氮氛围下进行，使界面层表面形成含氮层；
在所述含氮层表面形成高k栅介质层；
对所述高k栅介质层进行第二退火处理，使含氮层中的氮离子扩散至高k栅介质层内；
在所述高k栅介质层表面形成栅电极层。
2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理适于减少高k栅介质层中的氧空位含量。
3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述界面层的材料为氧化硅或氮氧化硅；所述高k栅介质层的材料为HfO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、ZrO2或Al2O3。
4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理采用的气体包括NH3。
5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理还在含氟或氢中的一种或两种氛围下进行。
6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理采用的气体还包括NF3或H2。
7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的工艺参数包括：退火温度为400摄氏度至1100摄氏度，腔室压强为1托至1标准大气压，处理时长为10分钟至120分钟。
8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述第一退火处理之前，所述界面层内含有未成键的硅离子和未成键的氧离子，所述第一退火处理还适于钝化所述未成键的硅离子和未成键的氧离子。
9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理的工艺参数包括：退火温度为400摄氏度至1100摄氏度，腔室压强为1托至1标准大气压，处理时长为10分钟至120分钟。
10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述界面层之前，还包括步骤：在所述基底表面形成伪栅；在所述伪栅两侧的基底内形成源漏区；在所述伪栅两侧的基底表面形成层间介质层，所述层间介质层覆盖伪栅侧壁；刻蚀去除所述伪栅，暴露出基底表面。
11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述界面层位于基底整个表面，还包括步骤：图形化所述栅电极层以及高k栅介质层，形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏区；在所述栅极结构两侧的基底表面形成层间介质层，所述层间介质层覆盖栅极结构侧壁。
12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底表面形成界面层；
在所述界面层表面形成高k栅介质层；
对所述高k栅介质层和界面层进行第一退火处理，所述第一退火处理在含氮氛围下进行，使氮离子扩散至高k栅介质层内；
在所述高k栅介质层表面形成栅电极层。
13.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理适于减少高k栅介质层内的氧空位含量。
14.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述界面层的材料为氧化硅或氮氧化硅；所述高k栅介质层的材料为HfO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、ZrO2或Al2O3。
15.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理采用的气体包括NH3。
16.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理还在含氟或氢中的一种或两种氛围下进行。
17.如权利要求16所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理采用的气体包括NF3或H2。
18.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的工艺参数包括：退火温度为400摄氏度至1000摄氏度，腔室压强为1托至1标准大气压，退火时长为10分钟至120分钟。
19.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述界面层内含有未成键的氧离子，在所述第一退火处理过程中，所述未成键的氧离子扩散至高k栅介质层内。
20.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述界面层之前，还包括步骤：在所述基底部分表面形成伪栅；在所述伪栅两侧的基底内形成源漏区；在所述伪栅两侧的基底表面形成层间介质层；刻蚀去除所述伪栅，暴露出基底表面。