技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成界面层；对所述界面层进行第一退火处理，所述第一退火处理在含氮氛围下进行，使界面层表面形成含氮层；在所述含氮层表面形成高k栅介质层；对所述高k栅介质层进行第二退火处理，使含氮层中的氮离子扩散至高k栅介质层内；在所述高k栅介质层表面形成栅电极层。本发明改善高k栅介质层的介电弛豫问题，从而提高形成的半导体结构的电学性能。
技术研发人员：李勇;洪中山
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510702088
技术研发日：2015.10.26
技术公布日：2017.05.03