半导体结构的形成方法与流程

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成第一氮掺杂层；

采用含氧等离子体离子注入工艺在第一氮掺杂层表面形成氧掺杂层，所述含氧等离子体至少包括水等离子体；

在所述氧掺杂层上形成第二氮掺杂层；

对所述半导体衬底进行热处理，使氧掺杂层内的氧原子向第一氮掺杂层和第二氮掺杂层内扩散，形成第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，仅采用水等离子体离子注入工艺形成所述氧掺杂层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述水等离子体离子注入采用的注入剂量为10¹⁷atom/cm²～10¹⁸atom/cm²，注入深度为200nm～300nm，注入能量为60keV～300keV。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧掺杂层包括第一氧掺杂层和位于所述第一氧掺杂层表面的第二氧掺杂层；采用第一水等离子体离子注入工艺形成所述第一氧掺杂层；采用氧气等离子体离子注入工艺在所述第一氧掺杂层表面形成第二氧掺杂层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧掺杂层还包括位于第二氧掺杂层表面的第三氧掺杂层，采用第二水等离子体离子注入工艺形成所述第三氧掺杂层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一水等离子体离子注入工艺采用的注入剂量为10¹⁷atom/cm²～10¹⁸atom/cm²，注入深度为250nm～300nm，注入能量为60keV～300keV。

7.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧气等离子体离子注入工艺采用的注入剂量为10¹⁷atom/cm²～10¹⁸atom/cm²，注入深度为260nm～290nm，注入能量为60keV～300keV。

8.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二水 等离子体离子注入工艺采用的注入剂量为10¹⁷atom/cm²～10¹⁸atom/cm²，注入深度为200nm～250nm，注入能量为60keV～300keV。

9.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第一氧掺杂层的厚度为第二氧掺杂层的厚度为第三氧掺杂层的厚度为

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用第一氮离子注入工艺形成所述第一氮掺杂层。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一氮离子注入工艺所采用的氮离子注入剂量为10¹⁷atom/cm²～10¹⁸atom/cm²，注入深度为250nm～350nm，注入能量为60keV～300keV。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用第二氮离子注入工艺形成所述第二氮掺杂层。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二氮离子注入工艺所采用的氮离子注入剂量为10¹⁵atom/cm²～10¹⁸atom/cm²，注入深度为200nm～250nm，注入能量为60keV～300keV。

14.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一氮掺杂层的厚度为第二氮掺杂层的厚度为

15.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述热处理为退火工艺，退火温度为500℃～1200℃，时间为5s～5min。

16.根据权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺包括炉管退火、尖峰退火或快速热退火。

17.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述热处理为在半导体衬底表面进行的半导体外延工艺。

18.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述半导体衬底至第二氮掺杂层表面，形成鳍部。

19.根据权利要求18所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述半导体衬底至第二氮掺杂层表面的方法包括：在所述半导体衬底表面形成硬 掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成图形化光刻胶层；以所述图形化光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层，形成图形化硬掩膜层；以所述图形化硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底至第二氮氧化硅层表面。

20.根据权利要求19所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述半导体衬底的方法包括：采用干法刻蚀工艺，刻蚀部分厚度的半导体衬底，然后采用湿法刻蚀工艺，继续刻蚀所述半导体衬底至第二氮氧化硅层表面。