技术总结
本发明涉及形成小z半导体封装的方法和半导体器件。半导体器件具有多个第一半导体管芯。在第一半导体管芯之上形成多个第一凸块。在第一凸块之上形成第一保护层。在背面研磨操作中去除第一半导体管芯的一部分。在第一半导体管芯之上形成背侧保护层。在第一半导体管芯和第一凸块之上沉积密封剂。去除密封剂的一部分以暴露第一凸块。在第一凸块和密封剂之上形成导电层。在导电层之上形成绝缘层和多个第二凸块。贯穿密封剂形成多个导电通孔。多个半导体器件与电气连接堆叠的半导体器件的导电通孔堆叠。在第一半导体管芯之上布置具有硅通孔的第二半导体管芯。
技术研发人员：K.K.侯;S.金努萨米
受保护的技术使用者：商升特公司
文档号码：201510750963
技术研发日：2015.11.06
技术公布日：2017.02.15