1.一种超结VDMOS器件，其特征在于，该器件包括叠加设置的N+衬底、第一N-外延层、第二N-外延层，所述第一N-外延层内设置有P型区，所述第二N-外延层内设置有P-pillar区，所述P-pillar区与P型区对齐。
2.根据权利要求1所述的超结VDMOS器件，其特征在于：所述P-pillar区与P型区之间的距离为3um到20um。