一种有机发光显示器件面板、显示设备的制作方法

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种有机发光显示器件面板、显示设备。

背景技术：

目前的显示类型主要包括液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、等离子显示(Plasma Display Panel，PDP)和电子墨水显示等多种。其中，OLED显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继LCD显示器之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。

柔性OLED显示器件大多采用柔性多层薄膜封装方式，无机层有机层交替封装。为了防止有机封装材料在封装过程中的外溢，在OLED显示器件面板的边缘区域通常设置有挡墙结构。如图1所示，为现有有机发光显示器件面板的结构示意图，有机发光显示器件面板，包括衬底基板1、形成于衬底基板1上的有机发光显示器件2以及包围有机发光显示器件2的多个挡墙结构3，挡墙结构3用于在封装有机发光显示器件2时，阻挡有机封装材料的外溢。其中，在有机发光显示器件2以及挡墙结构3上还依次覆盖有第一无机膜层4以及第二无机膜层6，第一无机膜层4与第二无机膜层6之间还形成有机膜层5。但现有的挡墙结构3底端宽，单个挡墙结构3占用空间大，不能对有机封装材料进行很好的阻挡，常会导致有机封装材料溢出挡墙结构以外，造成封装薄膜出现缺陷，外界水汽进而能够渗透到封装体的内部，最终导致封装失效。

技术实现要素：

本申请的目的是提供一种有机发光显示器件面板、显示设备，用以提高挡墙结构对有机封装材料的阻挡效果，进而提高有机封装材料对有机发光显示器件的封装效果。

本申请的目的是通过以下技术方案实现的：

本申请实施例提供一种有机发光显示器件面板，包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的有机发光显示器件以及包围所述有机发光显示器件的多个挡墙结构，所述挡墙结构用于在封装所述有机发光显示器件时，阻挡有机封装材料的外溢；相邻的所述挡墙结构之间形成的凹槽的底部面积大于或等于所述凹槽的顶部面积。

本申请实施例提供的有机发光显示器件面板，在有机发光显示器件的外围形成有多个挡墙结构，相邻的两个挡墙结构形成的凹槽的底部面积大于或等于该凹槽的顶部面积，可以在封装有机发光显示器件时，增加挡墙结构对有机封装材料的流动阻力，降低有机封装材料的流动动能，从而提高挡墙结构对有机封装材料的阻挡效果，进而有效提高有机封装材料对有机发光显示器件的封装效果。

优选的，所述挡墙结构的横截面图形为倒梯形或矩形。

优选的，所述挡墙结构的表面形成有多个孔结构。

本申请实施例提供的有机发光显示器件面板，挡墙结构的表面还形成有多个孔结构，进而可以增加挡墙结构表面的粗糙度，提高挡墙结构与有机封装材料的接触面积，增加有机封装材料跃迁单个挡墙结构的难度，进一步提升挡墙结构对有机封装材料的阻挡效果。

优选的，所述孔结构在所述挡墙结构的表面均匀分布。

本申请实施例提供的有机发光显示器件面板，孔结构在挡墙结构的表面均匀分布，可以简化孔结构的制作工序。

优选的，所述孔结构的深度为3微米至5微米。

优选的，所述孔结构的深度小于或等于所述挡墙结构厚度的百分之十 五。

优选的，各个所述挡墙结构的高度相等。

本申请实施例提供的各个挡墙结构的高度相等，可以简化挡墙结构的制作过程。

优选的，所述挡墙结构的个数多于两个。

本申请实施例提供的所述挡墙结构的个数多于两个，可以增加有机封装材料的跃迁次数，降低有机封装材料的跃迁能量，提高挡墙结构的阻挡效果。

优选的，所述挡墙结构的厚度为10微米至20微米。

优选的，所述有机发光显示器件面板，还包括依次覆盖于所述有机发光显示器件以及所述挡墙结构上的第一无机膜层以及第二无机膜层，其中，

所述第一无机膜层与所述第二无机膜层之间还形成有覆盖部分所述第一无机膜层的有机膜层，在垂直于所述有机发光显示器件面板的方向上，所述有机膜层的投影覆盖所述有机发光显示器件的投影，或覆盖所述有机发光显示器件的投影以及部分所述挡墙结构的投影。

本申请实施例提供一种显示设备，包括所述的有机发光显示器件面板。

附图说明

图1为现有有机发光显示器件面板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种有机发光显示器件面板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种有机发光显示器件面板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的形成有孔结构的挡墙结构的平面示意图；

图5为本申请实施例提供的形成有第一无机膜层后的有机发光显示器件面板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的形成有有机膜层后的有机发光显示器件面板的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的形成有第二无机膜层后的有机发光显示器件面板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本申请实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

如图2所示，本申请实施例提供一种有机发光显示器件面板，包括衬底基板1、形成于衬底基板1上的有机发光显示器件2以及包围有机发光显示器件2的多个挡墙结构3，挡墙结构3用于在封装有机发光显示器件2时，阻挡有机封装材料的外溢；相邻的挡墙结构3之间形成的凹槽的底部面积大于或等于凹槽的顶部面积。其中，在有机发光显示器件2以及挡墙结构3上还依次覆盖有第一无机膜层4以及第二无机膜层6，第一无机膜层4与第二无机膜层6之间还形成有覆盖部分第一无机膜层4的有机膜层5。具体的，根据有机封装材料在封装时的流动范围不同，在垂直于有机发光显示器件面板的方向上，有机膜层5的投影可以覆盖有机发光显示器件2的投影，如图2所示；或有机膜层5的投影也可以覆盖有机发光显示器件2的投影以及部分挡墙结构3的投影，如图3所示。

本申请实施例提供的有机发光显示器件面板，在有机发光显示器件的外围形成有多个挡墙结构3，相邻的两个挡墙结3构形成的凹槽的底部面积大于或等于该凹槽的顶部面积，可以在封装有机发光显示器件2时，增加挡墙结构3对有机封装材料的流动阻力，降低有机封装材料的流动动能，从而提高挡墙结构3对有机封装材料的阻挡效果，进而有效提高有机封装材料对有机发光显示器件2的封装效果。

需要说明的是，图2仅是以相邻的挡墙结构3之间形成的凹槽的底部面积 等于凹槽的顶部面积为例进行的举例说明，相邻的挡墙结构3之间形成的凹槽的底部面积也可以大于凹槽的顶部面积。具体的，对于单个挡墙结构3而言，挡墙结构3的横截面可以为倒梯形或矩形。

优选的，为了增加相邻挡墙结构3之间形成的凹槽对有机材料的存放空间，减少挡墙结构3本身的占用空间，可以薄型化单个挡墙结构3的厚度。具体的，可以设置单个挡墙结构3的厚度为10微米至20微米。

优选的，为了增加有机封装材料的跃迁次数，降低有机封装材料的跃迁能量，提高挡墙结构3的阻挡效果，可以设置挡墙结构3的个数多于两个。同时，考虑到显示面板的窄边框设计要求，本申请实施例设置的挡墙结构的个数优选为4到8个。

优选的，为了简化挡墙结构3的制作过程，可以设置各个挡墙结构3的高度相等。各个挡墙结构3的高度相等，可以使多个挡墙结构3通过一次工艺步骤制作完成，简化挡墙结构的制作过程。

优选的，为了增加挡墙结构3表面的粗糙度，提高挡墙结构3与有机封装材料的接触面积，挡墙结构3的表面可以形成有多个孔结构7，图4所示为形成有孔结构7的挡墙结构3的平面示意图。本申请挡墙结构3的表面形成的孔结构7可以增加有机封装材料跃迁单个挡墙结构3的难度，进一步提升挡墙结构3对有机封装材料的阻挡效果。具体的，为了简化孔结构7的制作工艺，可以使孔结构7在挡墙结构3的表面均匀分布。

具体孔结构7的深度可以根据相应挡墙结构3的厚度以及显示面板的具体需求进行相应灵活设置。考虑到挡墙结构3的稳固性，孔结构7的深度小于或等于挡墙结构3厚度的百分之十五。

优选的，孔结构7的深度为3微米至5微米。

为了更好的理解本申请实施例提供的挡墙结构3在封装过程中对有机封装材料的阻挡机理，下面以图3所示的有机发光显示器件面板，且挡墙结构3的表面形成有孔结构7为例，结合图5-图7对有机发光显示器件面板的封装过程 进行如下详细说明：

步骤一、通过曝光、显影工艺，在挡墙结构3上形成多个孔结构7。

步骤二、在有机发光显示器件2以及挡墙结构3上形成第一无机膜层4，如图5所示。其中，在垂直于有机发光显示器件面板的方向上，第一无机膜层4覆盖有机发光显示器件2以及挡墙结构3。

步骤三、在第一无机膜层4上形成有机膜层6，如图6所示。其中，在垂直于有机发光显示器件面板的方向上，有机膜层5的投影覆盖有机发光显示器件2的投影以及部分挡墙结构3的投影。

步骤四、在有机膜层5上形成第二无机膜层6，如图7所示。其中，在垂直于有机发光显示器件面板的方向上，第二无机膜层6的投影覆盖第一无机膜层4的投影。

在有机发光显示器件面板的封装过程中，由于相邻的两个挡墙结3构形成的凹槽的底部面积大于或等于该凹槽的顶部面积，进而可以在步骤二，第一无机膜层4上形成有机膜层6时，增加挡墙结构3对有机封装材料的流动阻力，使有机封装材料限制在相邻的挡墙结构3之间，这样在形成有机膜层5后再形成第二无机膜层6，第二无机膜层6可以将有机膜层5与外界水汽进行良好隔绝，进而可以避免外界水汽能够渗透到封装体的内部，进而有效提高了有机封装材料对有机发光显示器件2的封装效果。

本申请实施例提供一种显示设备，包括本申请实施例提供的有机发光显示器件面板。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。