半导体模块以及半导体模块的制造方法与流程

本发明涉及一种半导体模块以及半导体模块的制造方法。

背景技术：

以往，具备将由芯片(Chip)等构成的电子元件进行封装的封装树脂的半导体模块已被普遍知晓。作为像这样的以往的半导体模块的一例，可以列举特开2011-114176号公报为例。在该特开2011-114176号公报中，公开了一种功率半导体装置，其包括：功率半导体元件；被配置为夹有功率半导体元件的一对第一金属部件；夹有一对第一金属部件并且层积在一对散热板上的一对绝缘层；以及将第一功率半导体元件、一对第一金属部件、以及一对绝缘层覆盖并填充的填充树脂。

以往的半导体模块在流通过电流时，会有由芯片等组成的电子元件损坏、或是连接于电子元件的配线熔断、或是在该电子元件的配线熔断之前覆盖器件的封装树脂碳化的问题产生。在封装树脂碳化的情况下，可能会产生由于碳化后的封装树脂的热量从而导致的不良状况。

为了防止产生该不良状况，可以考虑使用难燃性树脂来作为封装树脂。但是，根据不同电路，即便是电子元件产生故障过电流也会在该电子元件处持续流通。这样的情况下，即使是难燃性的封装树脂也会完全碳化，其结果依旧可能会产生由于碳化后的封装树脂的热量从而导致的不良状况。

本发明鉴于以上问题点，以提供一种即使是在电子元件流处通过电流后封装树脂发生碳化的情况下，也能够防止产生由于碳化后的封装树脂的热量从而导致的不良状况的半导体模块以及半导体模块的制造方法。

技术实现要素：

根据本发明的半导体模块，包括：

第一绝缘基板；

第一导体层，设置在所述第一绝缘基板的搭载面上；

第一电子元件，设置在所述第一导体层上；

封装树脂，覆盖所述第一绝缘基板的所述搭载面内的搭载区域的整体、所述第一导体层、以及所述第一电子元件；以及

框体，金属制并且覆盖所述封装树脂的整体。

根据本发明的半导体模块，所述第一导体层也可与所述框体接合。

根据本发明的半导体模块，也可进一步包括：

第二绝缘基板；

第二导体层，设置在所述第二绝缘基板的搭载面上；以及

第二电子元件，设置在所述第二导体层上，

其中，所述第一导体层与所述第二绝缘基板之间，依次配置有所述第一导体层、所述第一电子元件、所述第二电子元件、以及所述第二导体层。

根据本发明的半导体模块，也可进一步包括与所述第一电子元件和所述第二电子元件相连接的导体柱。

根据本发明的半导体模块，所述第一电子元件以及所述第二电子元件的各个元件也可为功率器件(Power device)。

根据本发明的半导体模块，也可进一步包括设置在所述框体的外侧，并且由比所述封装树脂更加具有难燃性的材料构成的外部树脂。

根据本发明的电子器件，包括：

上述任意一个半导体模块；以及

散热器(Heat sink),设置有用于插入所述半导体模块的凹部。

根据本发明的电子器件，也可在所述散热器的所述凹部与所述半导体模块之间涂布有润滑剂。

根据本发明的电子器件，也可进一步包括将插入至所述散热器的所述凹部的所述半导体模块覆盖的封闭部。

根据本发明的半导体模块的制造方法，包含：

利用金属制的框体将第一绝缘基板、设置在所述第一绝缘基板的搭载面上的第一导体层、以及设置在所述第一导体层上的第一电子元件中的所述搭载区域的整体、所述第一导体层、以及所述第一电子元件覆盖；以及

通过在所述框体内注入封装树脂材料，从而利用封装树脂将所述搭载区域的整体、所述第一导体层、以及所述第一电子元件覆盖。

根据本发明的半导体模块的制造方法，也可进一步包含：

在所述框体内注入所述封装树脂材料前，将所述框体设置在模具内；

在所述框体内注入所述封装树脂材料后，将所述模具的一部分取下；以及

将所述模具的一部分取下后，通过在所述模具内注入外部树脂材料，从而在所述框体的外侧设置由比所述封装树脂更加具有难燃性的材料构成的外部树脂。

发明效果

在本发明中，由于利用金属制的框体覆盖封装树脂的整体，即便是在第一电子元件处流通过电流后封装树脂碳化的情况下，也能够防止产生由于碳化后的封装树脂的热量从而导致的不良状况。另外，通过采用像这样的金属制的框体，在实现高散热性的同时，能够抑制来自外部的或是由内部产生出的高频噪声的影响。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式中的半导体模块的正面切面图。

图2是本发明的第一实施方式中使用的第一部件以及导体柱的平面图。

图3是本发明的第一实施方式中使用的第二部件以及导体柱的平面图。

图4是本发明的第一实施方式中的半导体模块中展示封装树脂、框体以及外部树脂的正面切面图。

图5是本发明的第一实施方式中的半导体模块的电路图。

图6是对本发明的第一实施方式中使用的第一绝缘基板、第二结缘基板以及框体的大小以及位置关系进行说明的上方平面图。

图7A是对本发明的第一实施方式中的半导体模块的制造方法进行说明的平面切面图。

图7B是是对本发明的第一实施方式中的半导体模块的制造方法，并且是对图7A之后进行的工序进行说明的平面切面图。

图8是本发明的第二实施方式中的电子器件的侧方切面图。

图9是本发明的变形例中的半导体模块的背面切面图。

图10是本发明的另外的变形例中的半导体模块的背面切面图。

图11是本发明的变形例中使用四个器件时的电路图。

图12是本发明的又一个变形例中的半导体模块的正面切面图。

图13是本发明的变形例中使用六个器件时的电路

第一实施方式

《构成》

以下，将参照附图对本发明所涉及的半导体模块以及半导体模块的制造方法的第一实施方式进行说明。

如图1所示，本实施方式的半导体模块100具有：第一部件10；第二部件20；以及第一部件10与第二部件20之间沿上下方向延展的导体柱31.

如图2所示，第一部件10具有：第一绝缘基板11；设置在第一绝缘基板11的搭载面上的第一导体层12(12a-12d)；以及设置在第一导体层12的第一导体层部分12b(后述)上的第一电子元件13。如图4所示，本实施方式的半导体模块100具有：将绝缘基板11的搭载面内的搭载区域整体、第一导体层12、以及第一电子元件13覆盖的封装树脂80；以及将该封装树脂80的整体覆盖的金属制的框体70。

本发明的实施方式中，搭载面表示搭载有电子元件的面，图4中第一绝缘基板11上方的面为搭载面，后述第二绝缘基板21下方的面为搭载面。另外，搭载区域表示搭载有电子元件的区域，第一绝缘基板11的搭载区域表示搭载有第一电子元件13的区域，后述第二绝缘基板21的搭载区域表示搭载有后述第二电子元件23的区域。

如图1所示，本实施方式中第一部件10的第一绝缘基板11与第二部件20的第二绝缘基板21平行配置。本实施方式中，将与第一绝缘基板11以及第二绝缘基板21的延展面垂直相交的方向(也就是图1中的上下方向)称为上下方向

本实施方式使用设有一个第一电子元件13与一个第二电子元件23的方式进行说明，在设有多个第一电子元件13的方式中，搭载区域为设有各个第一电子元件13的区域，覆盖搭载区域的整体表示将设有各个第一电子元件13的区域全部覆盖。同样的，在设有多个第二电子元件23的方式中，搭载区域为设有各个第二电子元件23的区域，覆盖搭载区域的整体表示将设有各个第二电子元件23的区域全部覆盖。

金属制的框体70的材料没有特别的限定，作为举例，可以为铝、铁、不锈钢、铜等。综合考虑重量、加工性、价格等因素时，最好是使用铝作为材料。再有，金属制的框体70没有必要仅由金属元素构成，也可以是金属氧化物等的材料。

如图2所示，本实施方式中，第一绝缘基板11上设有用于安装框体70的安装导体层12d。该安装导体层12d被沿第一绝缘基板11的周缘配置，从上方观看时略微呈“コ”状。在安装导体层12d上搭载有框体70(参照图4)，安装导体层12d与框体70例如通过焊锡接合。本实施方式中比安装导体层12d更加内侧的区域为上述搭载区域。该搭载区域这有多个第一导体层部分12a-12c。

如图3所示，第二部件20具有：第二绝缘基板21；设置在第二绝缘基板21的搭载面上的第二导体层22(22b-22c)；以及设置在第二导体层22的第二导体层部分22b(后述)上的第二电子元件23。

图1所示方式中，自下依次配置有第一绝缘基板11，第一导体层12，第一电子元件13，第二电子元件23，第二导体层22以及第二绝缘基板21。

如图2所示，第一导体层12具有设置在第一绝缘基板11的搭载面上的多个第一导体层部分12a-12d。如图3所示，第二导体层22具有设置在第二绝缘基板21的搭载面上的多个第二导体层部分22b、22c。

本实施方式中的半导体模块100具有与第一电子元件13和第二电子元件23相连接的导体柱31。该导体柱31的横断面呈略矩形状(参照图2以及图3)，并且如图1所示沿上下方向延展。如图1所示，第一电子元件13的上方的面连接有导体柱31的下方的面，导体柱31的上方的面连接有第二电子元件23的下方的面。

本实施方式中，图2中第一电子元件13的上方的面的左侧略中央处连接有第一连接部46。另外，图3中第二电子元件23的上方的面的左侧略中央处连接有第二连接部56。

再有，本实施方式中第二部件20反转后被第一部件10所重叠。因此，图1所示方式中，第一连接部46与第一电子元件13的上方的面的左侧相连接，第二连接部56与第二电子元件23的下方的面的右侧相连接。

本实施方式的第一电子元件13与第二电子元件23例如为开关装置(Switching device)。并且，如图2所示，导体柱31的侧面设有与第一导体层部分12a相连接的柱连接部47。第一导体层部分12a设有与源电极相连接的导线框41。从源电极提供的电力通过第一导体层部分12a、柱连接部47以及导体柱31提供给第一电子元件13以及第二电子元件23(参照图5)。像这样被提供电力成为了使与导体柱31相连接的第一电子元件13的图1中上方的面相较下方的面温度更高，第二电子元件23的图1中下方的面相较上方的面温度更高的理由之一。

第一连接部46从正面观看时如图1所示略微呈“コ”状。第二连接部56从正面观看时如图1所示略微呈“コ”状。如图2所示，第一连接部46与第一导体层部分12c相连接。该第一导体层部分12c处设有与类似栅电极般的控制电极相连接的导线框42。如图3所示，第二连接部56与第二导体层部分22c相连接。该第二导体层部分22c处设有与类似栅电极般的控制电极相连接的导线框52。

图2中，设置在第一电子元件13下方的面的第一导体层12b与连接漏电极的导线框43相连接。图3中，设置在第二电子元件23下方的面的第二导体层22b与连接漏电极的导线框53相连接。

本实施方式中，第一绝缘基板11的搭载面与相反一侧(图1中的下方的面侧)设有由铜等构成的第一散热板14。第二绝缘基板21的搭载面与相反一侧(图1中的上方的面侧)设有由铜等构成的第二散热板24。

本实施方式中第一电子元件13以及第二电子元件23的各个部件可以为功率器件。作为功率器件的一例，可以列举前述的开关装置。更具体的来说，作为电子元件的一例，可以列举的有MOSFET等的FET、双极型晶体管(Bipolar Transistor)、IGBT等。典型例的话，可以列举MOSFET。

如图4所示，本发明方式中，框体70的外侧设有外部树脂90。具体来说，外部树脂90被设置为整体覆盖框体70的侧方(参照图7B)。该外部树脂90也可以设置为覆盖框体70的上下面，但考虑到散热性的观点，本实施方式中外部树脂90的上下面处没有设置框体70。

该外部树脂90也可以由比封装树脂80更具备难燃性的材料构成。作为难燃性树脂，能够列举的是树脂本身具有难燃性，即分解温度高，并且在树脂分解时产生的可燃物较少的树脂、或者是界限氧指数高的树脂等。举例的话，作为难燃性树脂可列举的有：氟树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酮醚树脂、聚丙烯醚酮树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚苯硫醚树脂、液晶聚合物。

另一方面，作为封装树脂80，只要是使用具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)的话没有其他特别的限制。作为举例，封装树脂80除了环氧树脂以外，可以使用具有硬化剂、硬化促进剂、无机质填充材料的环氧树脂复合物。作为该环氧树脂复合物，只要是一分子中具有两个及以上的环氧基环氧树脂复合物的话没有其他特别的限定。

如图6所示，本实施方式中第一绝缘基板11的面方向的大小比第二绝缘基板21的面方向的大小更大。具体来说，该方式为从上方观看时，第一绝缘基板11位于第二绝缘基板21的各个边的外方。并且，框体70被设置为将第二散热板24以及第二绝缘基板21包围，并且覆盖第一绝缘基板11的搭载面的整体(参照图4)。再有，图6中只标注了第一绝缘基板11、第二绝缘基板21、第二散热板24以及框体70。而且，图6中将配置在框体70内的实际上看不见的第二绝缘基板21以及第二散热板24用虚线表示。

如图4所示，本实施方式中，框体70将第一绝缘基板11的搭载面的整体、除安装导体层12d以外的第一导体层12、第一电子元件13、导体柱31、第二电子元件23、第二绝缘基板21、第二散热板24以及封装树脂80覆盖。另外，第二散热板24上方的面与框体70的内周面(图4中的下方的面)相接触，从而将老子第二散热板24的热量传导至框体70。

本实施方式中，由于框体70将第二部件20的整体覆盖，所以框体70也必然地将第二绝缘基板21的搭载区域的整体覆盖。

本实施方式中的半导体模块100，具有：前述的两个与栅电极相连接的导线框42、52、一个与源电极相连接的导线框41、两个与漏电极相连接的导线框43、53、以及包含后述的导线框44、49a、49b、54、59a、59b在内的多个导线框。并且，各个导线框从封装树脂80的一边突出到外部。使用图2以及图3进行说明的话为各个导线框从图2以及图3的下方一侧的沿左右延展的边向下方突出。

如图2所示，半导体模块100中在第一绝缘基板11一侧具有第一热量检测电阻71。该第一热量检测电阻71处连接有两个导线框49a、49b。第一热量检测电阻71被配置在与漏电极相连接的第一导体层部分12b的近旁，用于测定该第一导体层部分12b的温度。另外，如图3所示，半导体模块100中在第二绝缘基板21一侧具有第二热量检测电阻72。该第二热量检测电阻72处连接有两个导线框59a、45b。第二热量检测电阻72被配置在与漏电极相连接的第二导体层部分22b的近旁，用于测定该第二导体层部分22b的温度。

如图2所示，与漏电极相连接的第一导体层部分12b处设有用于传感(Sensing)的导线框44。如图3所示，与漏电极相连接的第二导体层部分22b处设有用于传感(Sensing)的导线框54。

《制造方法》

本实施方式的半导体模块100例如通过以下方法制造。

准备第一部件10(参照图1)，所述第一部件10为在第一绝缘基板11的搭载面上设有第一导体层12，在第一导体层12的第一导体层部分12b上设有第一电子元件13，在与第一绝缘基板11的搭载面相反一侧的面上设有第一散热板14。准备第二部件20，所述第二部件20为在第二绝缘基板21的搭载面上设有第二导体层22，在第二导体层22的第二导体层部分22b上设有第二电子元件23，在与第二绝缘基板21的搭载面相反一侧的面上设有第二散热板24。将第二部件20翻转180度使第二电子元件23面朝下方。将导体柱31置于第一部件10的第一电子元件13与第二部件20的第二电子元件23之间，通过导体柱31使第一电子元件13与第二电子元件23相连接。

接下来，将框体70设置为包围第二散热板24以及第二绝缘基板21，并且覆盖第一绝缘基板11的搭载面的整体(参照图4)。此时，安装导体层12d与框体70例如通过焊锡安装。其结果为：框体70将第一绝缘基板11的搭载面的整体、除安装导体层12d以外的第一导体层12、第一电子元件13、导体柱31、第二电子元件23、第二导体层22、第二绝缘性基板21以及第二散热板24覆盖。在本说明书的后述部分中将通过该该制造方法制造的部件称为“中间部件190”

接下来，将中间部件190装载至模具150内(参照图7A)。该模具150的一部分为可以被取下。具体来说，模具150具有第一模具部分110；以及将该第一模具部分110的侧方部分包围的第二模具部分120。并且，第一模具部分110可以从第二模具部分120处取下。再有，第一模具部分110的内周面的大小与框体70的侧方外周面的大小相吻合，通过将框体70嵌入第一模具部分110，从而能够将框体70相对于第一模具部分110进行固定。

接下来，将封装树脂材料81(封装树脂80的材料)例如从图7A的上方一侧注入至框体70内。通过这样注入封装树脂材料81后，如图7A所示，框体70内将会充满封装树脂材料81。其结果是，第一绝缘基板11的搭载面的整体、除安装导体层12d以外的第一导体层12、第一电子元件13、导体柱31、第二电子元件23、第二导体层22、第二绝缘性基板21以及第二散热板24被封装树脂材料81所覆盖。再有，由于第二散热板24上方的面与框体70的内周面(图4中的下方的面)相接触，所以第二散热板24仅侧面被封装树脂材料81所覆盖(参照图4)。再有，图7A中仅对包含模具150、框体70的中间部件190、封装树脂材料81等说明时必要的部件和材料进行了标注。

接下来，将第一模具部分110从第二模具部分120处取下(参照图7B)。本实施方式中为将位于中间部件190的侧方部分的各边处的第一模具部分110取下。

接下来，将外部树脂材料91(外部树脂90的材料)注入至框体70内(参照图7B)。通过这样注入外部树脂材料91后，中间部件190的各边的侧方部分就会被外部树脂材料91所覆盖。

将封装树脂材料81以及外部树脂材料91硬化，从而各自成为封装树脂80以及外部树脂90。可以像这样将封装树脂材料81以及外部树脂材料91同时硬化，也可以在不同的时间点硬化。例如，也可以在将第一模具部分110从第二模具部分120处取下之前，将封装树脂材料81硬化。

通过以上方法，对本实施方式的半导体模块100进行制造。

《作用·效果》

接下来，就由上述结构构成的本实施方式的作用·效果进行说明。

在本实施方式中，由于利用金属制的框体70覆盖封装树脂80的整体，即便是在第一电子元件13或是第二电子元件23处流通过电流后封装树脂80碳化的情况下，也能够防止产生由于碳化后的封装树脂80的热量从而导致的不良状况。具体来说，即使封装树脂80碳化后温度变高，也能够防止碳化后温度变高的封装树脂80与外界空气等发生接触，其结果就是，能够防止产生由于封装树脂80的热量从而导致的不良状况。再有，在本实施方式中，由于第一绝缘基板11的搭载区域的整体被框体70覆盖，所以即使是搭载有多个第一电子元件13的情况下，也能够方式因各个第一电子元件13从而导致热量扩散至框体70的外部。

另外，通过采用像这样的金属制的框体70，能够实现高散热性，并且，也能够抑制来自于框体70外部的或是由框体70内部产生出的高频噪声的影响。

另外，即使是在搭载有多个第一电子元件13以及/或是多个第二电子元件23的情况下，这些第一电子元件13以及第二电子元件23所对应的搭载区域的整体被封装树脂80覆盖，该封装树脂80的整体又被框体70覆盖。因此，即便是在任意一个电子元件13、23处流通过电流的结果，导致封装树脂80碳化，也能够防止产生由于碳化后的封装树脂80的热量从而导致的不良状况。

本实施方式的第一电子元件13以及第二电子元件23各自为功率器件的情况下，发热量高的器件会被相向地配置。因此，就更有必要降低由第一电子元件13或是第二电子元件23产生出的热量从而导致的风险。从这一点来说，根据本实施方式，由于封装树脂80的整体被框体70覆盖，即便是在第一电子元件13或是第二电子元件23处流通过电流后封装树脂80碳化的情况下，也能够防止产生由于碳化后的封装树脂80的热量从而导致的不良状况。

本实施方式中采用在框体70的外侧设置外部树脂90的方式的情况下，能够将对框体70，甚至是对第一电子元件13以及第二电子元件23的冲击进行吸收。再有，本实施方式中，外部树脂90被设置为将框体70的侧方全部的面覆盖，框体70上方的面(以下称为“框体70的散热面”)与第一散热板14没有被外部树脂90所覆盖。因此，框体70内部产生的热量能够从框体70的散热面以及第一散热板14这两处进行散热。

外部树脂90由难燃性的材料构成的情况下，就能够进一步降低由第一电子元件13或是第二电子元件23产生出的热量从而导致的风险。如前述般，本实施方式中虽然框体70将封装树脂80的整体覆盖，但通过将使用难燃性的材料的外部树脂90配置为包围框体70，就能够更加切实地防止产生由于碳化后的封装树脂80的热量从而导致的不良状况。这是因为外部树脂90相比封装树脂80更具有难燃性，因此即使是在封装树脂80碳化的情况下，经由框体70到达外部树脂90的热量很有可能不会使外部树脂90碳化。

第二实施方式

接下来，对本发明的第二实施方式进行说明。

如图8所示，第二实施方式是关于电子器件的方式，其具有第一实施方式中说明的半导体模块100；以及设有用于将该半导体模块100进行插入的凹部210的散热器200。该凹部210的大小被制作成与半导体模块100的大小相吻合。因此，通过将半导体模块100插入至凹部210内，就能够将半导体模块100相对于散热器200固定。

第二实施方式中的其他的构成为与第一实施方式略相同的方式。在第二实施方式中，与第一实施方式相同部分处采用同一符号进行说明。

在散热器200的凹部210处可以涂布由硅润滑剂等构成的润滑剂。通过涂布这样的润滑剂，能够容易地将半导体模块100插入至散热器200的凹部210中。另外，通过使用润滑剂，能过增加框体70的散热面以及第一散热板14与凹部210的内面之间的密着性，甚至能够提高从半导体模块100向散热器200处的热传导性。因此，就能够实现更高的散热性。

再有，可以在散热器200的凹部210的内面沿半导体模块100的插入方向(图8中的上下方向)形成多个沟槽210。原因是即便是在凹部210内涂布润滑剂后再插入半导体模块100的情况下，通过形成该沟槽210，就能够利用毛细管现象使润滑剂沿半导体模块100的插入方向向上移动。

也可以设置封闭部260将插入至散热器200的凹部210的半导体模块100覆盖。该封闭部260可以是封盖部件，例如可以是通过将陶瓷进行部分热喷涂后形成的封盖。通过像这样利用封闭部260将插入至散热器200的凹部210的半导体模块100覆盖，就能够完全覆盖半导体模块100。因此，即便是在半导体模块100产生出热量的情况下，也能够防止该热量传导至散热器200以及封闭部260的外面。

变形例

接下来，将对本发明的变形例进行说明。

虽然第一实施方式是使用第一电子元件13以及第二电子元件23这两个电子元件的方式，但可以将电子元件的数量设为任意数量，即也可以使用三个以上的电子元件。作为列举，也可以使用4个，或是6个电子元件。再有，在使用3个以上电子元件的情况下，也可以将所有的电子元件配置在框体70内。

当使用4个电子元件时，如图9所示，可以将：第三电子元件113通过第三导体层112配置在第一绝缘基板11上；第四电子元件123通过第四导体层122配置在第二绝缘基板21上。如图9所示，可以将第三电子元件113以及第四电子元件123通过导体柱131连接。再有，该图9位背视图，所以省略了导线框和连接部等。

另外，也可以是图10所示的方式。在图10所示方式中，第二电子元件23通过导体柱31以及连接体46a设置在第一电子元件13上，第四电子元件123通过导体柱131以及连接体146a设置在第三电子元件113上。在图10所示方式中，第二电子元件23与第二导体层部分22b之间设有导体柱39，第四电子元件123与第四导体层122之间设有导体柱139。连接体46a被设置为在水平方向上延伸，并且从上方观看时覆盖导体柱31的整体，该连接体46a的上方一面的一部分上会设有第二电子元件23。同样的，连接体146a被设置为在水平方向上延伸，并且从上方观看时覆盖导体柱131的整体，该连接体146a的上方一面的一部分上会设有第二电子元件123。导体柱31、131没有必要完全为柱状，也可以为设有切除部或是空洞。

作为如图9以及图10所示的使用四个器件时的电路图的一例，如图11所示，该图11中用虚线包围的部分为与本实施方式的半导体模块相对应的部分。

如图9以及图10所示，框体70覆盖有电子元件13、23、113、123以及导体层12、22、112、123。并且，在该框体70内填充有封装树脂80。再有，作为图9以及图10中未显示的部分，外部树脂90可以被设置为将框体70侧方全部的面或是框体70的外周面整体覆盖。

另外，也可以将三个以上的器件层积。作为一例，对四个器件层积的情况进行说明。该情况下，如图12所示，可以将：第一电子元件13与第二电子元件23在180度的不同方向上错开(图12中的左右方向上错开)；第三电子元件113与第四电子元件123在180度的不同方向上错开(图12中的左右方向上错开)；第一电子元件13与第三电子元件113不错开；第二电子元件23与第四电子元件123不错开。图12所示方式中，第三绝缘基板111的下方一面设有第四导体层122，第二绝缘基板21的上方一面设有第三导体层112。包含有第三导体层112以及第三电子元件113的第三部件110在水平方向上的配置与第一部件10为同一或是同样配置。另外，包含有第四导体层122以及第四电子元件123的第四部件120在水平方向上的配置与第二部件20为同一或是同样配置。

另外，与图12所示方式不同，也可以为：第三部件110所包含的部件(第三导体层112、第三电子元件113等)在水平方向上的配置，与第一部件10所包含的部件(第一导体层12、第一电子元件13等)在水平方向上的配置相比，从上方观看时以顺时钟方向相差90度；第四部件120所包含的部件(第四导体层122、第四电子元件123等)在水平方向上的配置，与第一部件10所包含的部件(第一导体层12、第一电子元件13等)在水平方向上的配置相比，从上方观看时以顺时钟方向相差270度。

另外，也可以为：第三部件110所包含的部件(第三导体层112、第三电子元件113等)在水平方向上的配置，与第一部件10所包含的部件(第一导体层12、第一电子元件13等)在水平方向上的配置相比，从上方观看时以顺时钟方向相差270度；第四部件120所包含的部件(第四导体层122、第四电子元件123等)在水平方向上的配置，与第一部件10所包含的部件(第一导体层12、第一电子元件13等)在水平方向上的配置相比，从上方观看时以顺时钟方向相差90度。

像上述这些的四个器件层积的情况下的电路图，作为一例也可以如图11所示的那样。

像上述这些的四个器件层积的情况下，框体70同样覆盖有电子元件13、23、113、123以及导体层12、22、112、123。并且，在该框体70内填充有封装树脂80。再有，作为图12中未显示的部分，外部树脂90也可以被设置为将框体70侧方全部的面或是框体70的外周面整体覆盖。

另外，也可以利用框体70覆盖更多的器件。作为一例，可以利用框体70覆盖图13中所示电路的电子元件501-512。框体覆盖的是图13中被虚线包围的电子元件501-512。符号501-506为开关元件的一例，符号507-512为整流元件的一例。图13所示的方式中，开关元件501与整流元件507被相向配置的同时通过导体柱相互连接，开关元件502与整流元件508被相向配置的同时通过导体柱相互连接，开关元件503与整流元件509被相向配置的同时通过导体柱相互连接，开关元件504与整流元件510被相向配置的同时通过导体柱相互连接，开关元件505与整流元件511被相向配置的同时通过导体柱相互连接，开关元件506与整流元件512被相向配置的同时通过导体柱相互连接。

最后，上述各个实施方式中的记载、变形例中的记载以及附图中公开的仅仅是权利要求范围中记载的用于对发明进行说明的一例，根据上述各个实施方式中的记载或是附图中公开的在权利要求范围中记载的发明不被限定。

符号说明

10 第一部件

11 第一结缘基板

12 第一导体层

13 第一电子元件

20 第二部件

21 第二结缘基板

22 第二导体层

23 第二电子元件

31 导体柱

46 第一连接部

47 柱连接部

70 框体

80 封装树脂

90 外部树脂

100 半导体模块

200 散热器

210 凹部

260 封闭部