流路构件以及半导体模块的制作方法

本发明涉及流路构件以及半导体模块。

背景技术：

近年来，半导体元件用在大电流下高速进行开关的用途中。该半导体元件若发热而成为高温，则有影响到开关功能的可能性。为此，在半导体元件的搭载时，使用具有能通过与流体的热交换来冷却半导体元件的流路的流路构件。

作为这样的流路构件，例如在专利文献1中提出如下结构的流路构件：在安装半导体部件的电路的下部形成成为制冷剂流路的空隙部，从所述电路到所述空隙部的基板厚度方向的距离t满足0.5mm≤t≤5mm的条件，该距离t和所述空隙部的宽度Y处于Y≤20t的关系。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2002-329938号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

虽然通过具有能冷却半导体元件的流路，相比于没有流路的结构在散热特性上更优良，但在这里，对流路构件谋求进一步的散热特性的提升。

本发明为了满足上述要求而提出，提供一种散热特性优良的流路构件以及半导体模块。

用于解决课题的手段

在本发明的流路构件中，被壁包围的空间是流体流过的流路，所述壁由陶瓷构成，所述流路构件的特征在于，所述壁当中进行热交换的壁部的内面中的晶界相的面积占有率小于外面中的晶界相的面积占有率。

另外，本发明的半导体模块的特征在于，在设于上述构成的本发明的流路构件的所述壁的金属层上搭载半导体元件。

发明效果

本发明的流路构件在散热特性上优良。

另外，根据本发明的半导体模块，能将在大电流下高速进行开关的功能维持得较高。

附图说明

图1表示本实施方式的半导体模块的一例，(a)是立体图，(b)是截面图。

图2表示构成本实施方式的流路构件的盖体部的一例，(a)是立体图，(b)是(a)中的A-A线的截面图，(c)是(b)中的B部的放大图。

图3是表示纺锤形状的孔的形状例的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本实施方式的一例。图1表示本实施方式的半导体模块的一例。(a)是立体图，(b)是截面图。另外，对同一构件标注同一编号。

如图1(a)所示那样，本实施方式的半导体模块30在流路构件1具有金属层10，在其上搭载半导体元件20。该半导体元件20伴随使用而发热，特别在是IGBT元件、LED元件等功率半导体的情况下，发热量较多。

另外，在图1中示出在盖体部3上设置2个导体元件20的示例，但半导体元件20并不限于2个，可以是1个，也可以是3个以上。

并且，本实施方式的流路构件1如图1(b)所示那样，被壁(盖体部3、侧壁部6、底板部7)包围的空间是流体流过的流路2，从提供口4提供的制冷剂经过流路2而从排出口5排出。另外，在图1中，使提供口4以及排出口5形成在侧壁部6，但也可以设置在盖体部3、底板部7等进行适当变更。

另外，在本实施方式的流路构件1中，盖体部3、侧壁部6以及底板部7由陶瓷构成。如此地，通过盖体部3、侧壁部6以及底板部7由陶瓷构成，能流过有腐蚀性的制冷剂，或者能在有腐蚀性的环境使用。

接下来，本实施方式的流路构件1通过伴随使用而从半导体元件20产生的热和流过流路2的制冷剂所具有的热的热交换，来抑制半导体元件20成为过分高温，在图1所示的构成中，壁当中的盖体部3相当于进行热交换的壁部。另外，在流路构件1用于半导体元件20的搭载中时，进行热交换的壁部换言之也可以说是搭载半导体元件20一侧的壁部。另外，在流路构件1用于与外部环境的热交换中时，盖体部3、侧壁部6、底板部7全都是进行热交换的壁部。

在本实施方式的流路构件1中，盖体部3的内面3a中的晶界相的面积占有率小于外面3b中的晶界相的面积占有率。另外，内面3a构成流路2的一部分。

如此，通过使内面3a中的晶界相的面积占有率小于外面3b中的晶界相的面积占有率，从盖体部3的外面3b向内面3a的在半导体元件20产生的热的热传导性得到提升，能与流过流路2的制冷剂高效地进行热交换，因此流路构件1在散热特性上变得优良。

在此，从盖体部3的外面3b向内面3a的在半导体元件20产生的热的热传导性得到提升出于以下的理由。由于晶界相相比于结晶相而热传导性更低，因此相对比地，在晶界相的面积占有率大的外面3b，在半导体元件20产生的热难以在沿着外面3b的方向(图1(b)中的横向)上扩散，相对比地，由于变得易于在晶界相的面积占有率小的内面3a侧(图1(b)中的纵向)移动，因此在半导体元件20产生的热的热传导性得到提升。

另外，内面3a的晶界相的面积占有率优选为0.1面积％以上4.0面积％以下。在内面3a的晶界相的面积占有率满足上述范围时，除了优良的散热特性以外，即使流过高的压力的流体，也能抑制内面3a中的脱粒所带来的损伤。

另外，外面3b的晶界相的面积占有率优选为8.0面积％以上23.0面积％以下。在外面3b的晶界相的面积占有率满足上述范围时，能使得除了优良的散热特性以外，在机械特性上也优良。

在此，盖体部3的内面3a以及外面3b的晶界相的面积占有率的测定方法，例如有如下记述的方法。首先，在从盖体部3切出适当大小的样本后，使用扫描型电子显微镜(SEM)将倍率设为1000～6000倍来进行观察，在通过元素映射(例如若在晶界相包含镁(Mg)则指定镁)确认晶界相的位置后，拍摄反射电子像。接下来，对得到的照片使用图像解析软件“A像くん”(注册商标，“旭化成Engineering(株)”制，另外，以后在记作图像解析软件“A像くん”的情况下设为表示旭化成Engineering(株)制的图像解析软件)，为了使晶界相与结晶相的对比度变得明确而设定阈值，进行图像解析，将在任意的5处测定该作业的平均值设为晶界相的面积占有率。

另外，还能在元素映射中使用电子射线微型分析仪(EPMA)。另外，在晶界相的面积占有率的测定时进行研磨的情况下，相对于盖体部3的厚度，各个研磨量在到50μm程度为止的范围内，使内面3a以及外面3b的研磨量相同。

另外，进行热交换的壁部即盖体部3优选内面3a中的平均结晶粒径大于外面3b中的平均结晶粒径。

在满足这样的构成时，由于在外面3b妨碍结晶相间的热传导的界面较多，因此在沿着外面3b的方向上热难以扩散，在内面3a侧，热变得易于移动，在半导体元件20产生的热与流过流路2的流体即制冷剂能效率良好地进行热交换，散热特性得到提升。

另外，内面3a的平均结晶粒径例如为1.3μm以上4μm以下，外面3b的平均结晶粒径为0.5μm以上1μm以下。

在此，作为盖体部3的内面3a以及外面3b的平均结晶粒径的测定方法，例如在从盖体部3切出包含内面3a以及外面3b的适当大小的样本后，在相对于盖体部3的厚度到50μm程度为止范围内，以相同研磨量对内面3a以及外面3b进行镜面研磨。接下来，在使用SEM对各个研磨面在1000～6000倍下观察、拍摄后，使用图像解析软件“A像くん”来进行图像解析，由此能求得平均结晶粒径。另外，利用图像解析软件”A像くん”的图像解析遵循JIS R 1670-2006标准。

另外，其他还能使用弦长法来求取平均结晶粒径。具体地，对拍摄的照片，根据位于一定长度的直线上的结晶相的个数来测定粒径，在多处进行该测定，求取平均值即可。

另外，在本实施方式的流路构件1中，盖体部3优选内面3a的算术平均粗糙度Ra为0.2μm以上。

在满足这样的构成时，流过流路2内的流体在内面3a变得易于出现紊流，热交换效率得到提升，流路构件1的散热特性得到提升。另外，为了在高压的流体流向流路2时抑制盖体部3的损伤，优选盖体部3的内面3a的算术平均粗糙度Ra为1μm以下。

在此，作为盖体部3的内面3a的算术平均粗糙度Ra的确认方法，例如在从盖体部3包含内面3a地切出适当大小的样本后，使用接触型或非接触型粗糙度测定器基于JISB0601-2001进行测定，在任意的5处进行该作业，求取平均值即可。

接下来，图2表示构成本实施方式的流路构件的盖体部3的一例，(a)是立体图，(b)是(a)中的A-A线的截面图，(c)是(b)中的B部的放大图。另外，图3是表示纺锤形状的孔的形状例的示意图。

在图2(b)所示那样的截面，盖体部3适于具有沿着外面3b的方向是长径8a的纺锤形状的孔8(以下还仅称作孔)。另外，所谓沿着外面3b的方向，是图2(c)中的横向。

另外，所谓纺锤形状，是图3(a)、图3(b)所示那样的形状，是中央侧粗、朝向端部侧而变细的形状。具体的纺锤形状的孔8的大小为：设为对象的孔8的最长的方向的长度即长径8a为10μm～200μm，在将长径8a的中点8c部分上的与长径8a垂直的部分的长度设为短径8b时，以长径8a/短径8b求得的比成为2以上。

并且，在盖体部3具有沿着外面3b的方向是长径8a的纺锤形状的孔8时，能抑制因重复的热的移动而在结晶相的界面等出现微小的龟裂时龟裂的进展。另外，由于相比于具有沿着盖体部3的厚度方向(图2(c)中的纵向)的方向是长径的孔时具有更优良的机械特性，因此能长时间使用。

另外，优选在厚度方向上具有多个沿着外面3b的方向是长径8a的纺锤形状的孔8，各个孔的长径8a的中点的铅垂线(图2(c)所示的箭头)在盖体部3的厚度内不重合。在满足这样的构成时，相比于在盖体部3的厚度内重合时，具有更优良的机械特性并能抑制微小龟裂的进展。另外，能减少因从外面3b传递的热的局部集中而出现微小龟裂的可能性。

另外，作为沿着外面3b的方向是长轴8a的纺锤形状的孔8的确认方法，从盖体部3切出与外面3b垂直的截面(图2(a)的A-A线那样的截面)，使用公知的显微镜(金属显微镜或SEM等)，在1000倍以上2000倍以下的倍率下进行观察，能由此确认。

另外，关于是否在厚度方向上有多个纺锤形状的孔8，在厚度方向上观察不同的区域，以是否在多个区域观察到纺锤形状的孔8来进行判断即可。进而，关于各个纺锤形状的孔8中的长径8a的中点的铅垂线在盖体部3的厚度内是否重合，使观察区域从确认过的纺锤形状的孔8在铅直方向移动到外面3b侧以及内面3a侧，进行观察即可。

接下来，作为构成流路构件1的陶瓷，能举出氧化铝、氧化锆、莫来石、碳化硅、碳化硼、堇青石、氮化硅、氮化铝或它们的复合材料所构成的烧结体。如此地，通过使构成流路构件1的壁由陶瓷构成，能如图1所示那样将布线导体等的金属层10直接形成在流路构件1，因此能在该金属层10上搭载半导体元件20等电子部件。由此能削减部件件数。并能将接合部中的热阻减低部件的接合部变少份，能提升热交换效率。

特别地，图1所示的盖体部3优选由氮化硅质烧结体构成。在此，氮化硅质烧结体是指构成烧结体的全成分100质量％当中的氮化硅的含有量为70质量％以上的烧结体。在盖体部3由氮化硅质烧结体构成时，由于氮化硅质烧结体的耐电压性以及耐热冲击性高，因此还能耐受大电流下的使用，另外在电子部件的发热量大的情况下，也难以出现龟裂等的损伤。

另外，能从盖体部3切出给定的大小的样本，用X射线衍射装置(XRD)确认构成盖体部3的成分。另外，关于含有量，能通过进行SEM的能量分散型X射线(EDS)分析来确认。另外，还能使用ICP发光分光分析装置或荧光X射线分析装置来确认含有量。

另外优选，在盖体部3由氮化硅质烧结体构成时，在内面3a散布包含铁以及硅的化合物，投影圆当量径为0.05μm以上5μm以下的化合物的个数是，每1mm²为2.0×10⁴个以上2.0×10⁵个以下。

在满足这样的构成时，在高压的流体流向流路2时，即使因在盖体部3的内面3a施加压力而产生龟裂，也能通过散布包含铁以及硅的化合物而抑制向盖体部3的内部侧的龟裂的进展。另外优选，包含铁以及硅的化合物存在于盖体部3的晶界相。

在此，关于是否散布包含铁以及硅的化合物，通过利用EPMA的元素映射的确认来确认Fe的存在位置与Si的存在位置重合的部位是否存在多个，能由此确认是否散布。另外，化合物的辨识，以XRD测定来辨识即可。

另外，使用SEM将倍率设为1000倍，设定范围，例如使面积成为10.8×10⁴μm²(横向的长度为127μm、纵向的长度为85.3μm)，用CCD摄像机取入该范围的反射电子像，使用图像解析软件“A像くん”，用粒子解析这样的手法来解析投影圆当量径0.05μm以上5μm以下的包含铁以及硅的化合物的每1mm²的个数即可。

在此，作为该手法的设定条件，将明度设为明，将2值化的方法设为手动，将表示反射电子像的明暗的指标即阈值设定为表示反射电子像内的各点(各像素)所具有的明亮度的直方图的峰值的例如1.5倍～1.8倍。另外，也可以取代SEM而使用光学显微镜。在任意的5处进行该作业来求取平均值即可。

另外优选，本实施方式的流路构件1在盖体部3由氮化硅质烧结体构成的情况下，在盖体部3的内面3a具有凹部，在凹部的内部存在相互交错的柱状结晶。

在具备这样的构成时，在流过流路2的流体进入到柱状结晶交错的凹部时，流体的流被搅拌从而热交换效率提升，流路构件1的散热特性得到提升。

在此优选，凹部的大小是开口部的最大宽度为20μm以上100μm以下，作为其确认方法，能使用SEM将倍率设为200～500倍来进行确认。

另外，在凹部的内部柱状结晶相互交错的状态能通过使用SEM将倍率放大到1000～3000倍来确认。另外，所谓交错的状态，是指各个柱状结晶的轴成任意的角度地交叉的状态。

并且，本实施方式的半导体模块30在设于流路构件1的盖体部3的金属层10上搭载半导体元件20而成。

例如如图1所示那样，在流路构件1的盖体部3上搭载了多个半导体元件20的情况下，盖体部3由于在沿着外面3b的方向上热难以扩散，因此能抑制各个半导体元件20干扰到从各个半导体元件20产生的相互的热。进而，由于在半导体元件20产生的热易于在盖体部3的内面3a侧移动，因此能效率良好地进行半导体元件20的放热，在大电流下也能高速进行开关。

在此优选，金属层10将铜、银、铝等作为主成分。由于以它们为主成分的金属层10的电阻率低，因此还能应对容许电流大的情况。另外，由于热传导率高，因此还能将金属层10作为放热构件使用。

另外，在上述的说明中说明了热源是半导体元件20的示例，但热源并不限于半导体元件20，也可以是热升华型热敏打印机头元件、热敏喷墨打印机头元件等。

另外，虽未图示，但金属层10、半导体元件20使用键合引线等与其他电路基板、外部电源连接。

另外，本实施方式的流路构件1也可以在内部具备用于使流体流动的方向变更或分支的隔壁部。通过具备这样的隔壁部，能效率良好地冷却半导体元件20等。

接下来，作为本实施方式的流路构件的制作方法的一例，说明流路构件由氮化硅质烧结体构成的示例。

另外，在以下的说明中，作为本实施方式的流路构件1的盖体部3的制作方法，说明用基于陶瓷生片的层叠法进行制作的示例。

首先，称量所期望量的β化率20％以下的氮化硅的粉末，作为烧结助剂，称量所期望量的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、锰(Mn)以及钨(W)的氧化物的粉末的至少任一者、和稀土类元素的氧化物(例如Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Pr6O11、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3以及Lu2O3的至少任一者)的粉末。然后，在放入放进了陶瓷所构成的小球的滚筒研磨机中并进行混合、粉碎后，放入固体石蜡、聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)等有机粘合剂并混合，由此制作浆料。

在将氮化硅的粉末和这些烧结助剂的粉末的合计的总和设为100质量％的情况下，上述的烧结助剂使镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、锰(Mn)以及钨(W)的氧化物的粉末至少任一者成为2～7质量％，使稀土类元素的氧化物的粉末成为7～16质量％即可。

在此，在本实施方式的流路构件的制作方法中，使成为盖体部3的内面3a侧的陶瓷生片的起始原料A、和成为盖体部3的外面3b侧的陶瓷生片的起始原料B的调和组成不同来制作。具体地，通过相比于起始原料B使起始原料A中的烧结助剂的粉末的含有量更少，能使盖体部3的内面3a中的晶界相的面积占有率小于外面3b中的晶界相的面积占有率。

另外，在使盖体部3的厚度较厚的情况下，准备烧结助剂的粉末的含有量多于起始原料A少于起始原料B的起始原料C，构成为夹在起始原料A所构成的陶瓷生片与起始原料B所构成的陶瓷生片间。

另外，可以对起始原料A100质量部添加1质量部以上1.7质量部以下的相对表面积0.5m²/g以上50m²/g以下的氧化铁的粉末。氧化铁通过烧成时与硅进行反应来将氧脱离，由此生成热力学上稳定的铁以及硅所构成的化合物即硅化物。然后，通过包含上述的相对表面积以及含有量的氧化铁的粉末，在盖体部3的内面3a散布包含铁以及硅的化合物，能使投影圆当量径为0.05μm以上5μm以下的所述化合物的个数成为，每1mm²为2.0×10⁴个以上2.0×10⁵个以下。

另外优选，氮化硅以及烧结助剂的粉末的混合、粉碎中使用的陶瓷所构成的小球在氮化硅质烧结体的制作时，使用氮化硅质烧结体所构成的小球。另外，氮化硅以及烧结助剂的粉末的混合、粉碎从烧结性的提升以及结晶组织的柱状化或针状化的点出发，优选进行混合、粉碎，直到将粒度分布曲线的累积体积的总和设为100％的情况下的累积体积成为90％的粒径(D90)为3μm以下。

在此，为了在短时间内进行混合、粉碎，优选预先使用累积体积成为50％的粒径(D50)为1μm以下的粉末。另外，粉碎粒径的调整能通过小球的外径、小球的量、浆料的粘度、粉碎时间等来调整。为了降低浆料的粘度，添加分散剂即可。通过这样的调整，能调整粉碎粒径，进而能调整内面3a以及外面3b中的平均结晶粒径。

接下来用得到的各个浆料，通过刮刀法来制作薄片。然后，通过对得到的薄片用金属型进行冲裁或进行激光加工，得到给定形状的成为盖体部3的内面3a侧以及外面3b侧的陶瓷生片。

另外，作为其他成形体的制作方法，也可以使用通过将得到的各个浆料喷雾干燥而造粒的颗粒，在用冷静水压加压成形(CIP)法、挤出成形法、加压压制法等而成形后，切削加工成给定形状。进而，也可以将用压延颗粒的辊压实法制作的薄片以金属型冲裁或进行激光加工，由此得到给定形状的成为盖体部3的内面3a侧以及外面3b侧的陶瓷生片。

然后，在得到的成为盖体部3的内面3a侧的陶瓷生片和成为外面3b的陶瓷生片的成为接合面的至少一方的面涂敷浆料后，层叠并进行加压，由此能得到成为盖体部3的层叠体即成形体。另外，如上述那样，在使盖体部3的厚度较厚的情况下，使起始原料C所构成的陶瓷生片介于成为内面3a的陶瓷生片与成为外面3b的陶瓷生片之间存在地进行层叠即可。

然后，通过对相当于盖体部3的内面3a的成形体的表面实施喷砂处理，能调整烧成后的算术平均粗糙度Ra。

进而，为了在盖体部3形成沿着外面3a的方向是长径8a的纺锤形状的孔8，在对接合面涂敷浆料时设置不涂敷浆料的圆形的区域即可，为了具有多个纺锤形状的孔8，各个纺锤形状的孔8中的长径8a的中点8c的铅垂线在盖体部3的厚度内不重合，在层叠数为3层以上时，使不涂敷浆料的圆形的区域的配置在各接合面不重合。

另外，作为制作构成流路构件1的盖体部3以外的侧壁部6以及底板部7的成形体的方法，可以在使用颗粒用CIP法、挤出成形法等得到块状的成形体后，进行机械加工以成为流路2的形状，由此制作，但若是以层叠法制作盖体部3，则优选也用层叠法制作侧壁部6以及底板部7。若是层叠法，则能通过变更层叠的陶瓷生片的片数来容易地变更厚度。另外，能层叠通过用金属型冲裁或进行激光加工而做成所期望形状的陶瓷生片来制作具备有隔壁部那样的复杂的流路2的流路构件1。

并且，在通过层叠法制作侧壁部6以及底板部7时，能用与制作上述的成为盖体部3的成形体时同样的方法来制作，可以分别层叠而得到成为侧壁部6以及底板部7的成形体，也可以同时进行层叠以及加压，得到具备盖体部3、侧壁部6以及底板部7成形体。

另外，关于提供口4以及排出口5，在如图1所示那样设于侧壁部6时，可以在具备盖体部3、侧壁部6以及底板部7的成形体进行孔加工，但由于加工废渣会残留在内部，因此优选在陶瓷生片的阶段进行成为孔的加工。

接下来将得到的成形体放入到氮化硅质烧结体所构成的匣钵的内部。另外，这时，为了抑制氮化硅质成形体的含有成分的挥发，在氮化硅质成形体的周围配置包含氧化镁以及稀土类元素的氧化物等成分的共通材料，放入到设置石墨电阻发热体的烧成炉内来进行烧成。优选该共通材料相对于氮化硅质成形体的各质量的合计为2质量％以上不足10质量％。

另外，关于烧成条件，在真空气氛中从室温升温到300～1000℃，之后导入氮气体，将氮分压维持在15～900kPa。然后进一步推进升温，在1560℃以上1640℃以下保持超过4个小时、6个小时以下的范围后，进一步提高温度，在1740℃以上不足1800℃下保持4个小时以上10个小时以下。之后，以500℃/小时以上的降温速度冷却，由此能得到本实施方式的流路构件1。另外，根据用途，流路构件1也可以实施研磨加工。

到此为止记载了层叠多个陶瓷生片来制作盖体部3的制作方法，但作为控制盖体部3的内面3a和外面3b的晶界相的面积占有率的其他制造方法，有以下的方法。

首先使用起始原料A所构成的陶瓷生片，用金属型进行冲裁或进行激光加工，来使其成为所期望形状，在接合面涂敷浆料，并层叠、进行加压，由此得到具备盖体部3、侧壁部6以及底板部7的成形体。

接下来，在铺满上述的共通材料的粉末的基础上载置成形体，使盖体部3的外面3b位于成形体。然后通过上述的条件进行烧成。通过用这样的方法进行烧成，在盖体部3的外面3b中，构成晶界相的成分难以蒸发，在内面3a，晶界相的蒸发抑制得不如外面3b，因此对比内面3a和外面3b，内面3a中的晶界相的面积占有率变小，外面3b中的晶界相的面积占有率变大。另外，由于晶界相的蒸发量的差异而结晶相的粒生长抑制效果不同，因此对比内面3a和外面3b，内面3a中的平均结晶粒径变大，外面3b中的平均结晶粒径变小。

接下来在流路构件1的盖体部3设置金属层10，在金属层10上搭载半导体元件20，能由此制作本实施方式的半导体模块30。

另外，关于设于盖体部3上的金属层10，例如使用银、铜或铝等导电性粉末、玻璃粉末和有机载体来制作膏，用公知的丝网印刷法在盖体部3的外面3b印刷得到的膏，在干燥后在与导电性粉末相适应的气氛下进行烧成即可。另外，作为其他制作方法，可以用电解镀法、无电解镀法、利用铜板或铝板的直接接合法、或活性金属法来制作金属层10。

以上详细说明了本发明，但本发明并不限定于上述的实施方式，能在不脱离本发明的要旨的范围内进行各种变更、改良等，侧壁部、底板部不需要是不同于盖体部的构成，也可以是相同构成。

另外，例如本发明的流路构件不仅能用在半导体元件等电子部件的搭载中，还能作为通过流过流路构件的外部的高温流体与路过流路构件的内部的制冷剂进行热交换的热交换器用构件使用。

符号说明

1 流路构件

2 流路

3 盖体部

3a 内面

3b 外面

4 提供口

5 排出口

6 侧壁部

7 底板部

8 纺锤形状的孔(孔)

10 金属层

20 半导体元件

30 半导体模块