1.一种发光二极管，其包括：
第一导电型半导体层；
至少两个发光单元，其在所述第一导电型半导体层上彼此间隔开设置并且各自包括有源层、第二导电型半导体层和至少一个接触孔，所述至少一个接触孔穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层形成，从而暴露所述第一导电型半导体层的一部分；
附加接触区，其设置在所述发光单元之间并且部分地暴露所述第一导电型半导体层；
第一电极，其通过所述发光单元中的每一者的接触孔和所述附加接触区域与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触；
第二电极，其设置在所述发光单元中的每一者上并且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；以及
下绝缘层，其覆盖所述第一导电型半导体层的侧表面、所述发光单元和所述第二电极，
其中，所述下绝缘层包括暴露所述接触孔和所述附加接触区域的第一开口和部分地暴露所述第二电极的第二开口，所述第一电极和所述第二电极彼此绝缘。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光二极管包括至少四个发光单元，且所述附加接触区域设置在由所述至少四个发光单元环绕的区域中。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述附加接触区域设置在其中所述至少四个发光单元中的每一者的一个拐角与其他三个发光单元的拐角汇合的区域中。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，从所述附加接触区域的中心至所述至少四个发光单元的中心的距离是相同的。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光二极管，其中，所述接触孔设置在所述发光单元中的每一者的中心区域中。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其进一步包括：
一个或多个连接层，其将设置在所述发光单元中的一个发光单元上的所述第二电极电连接到设置在邻近于所述一个发光单元的另一个发光单元上的所述第二电极。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极覆盖所述下绝缘层的至少一部分，并且通过所述第一开口接触所述第一导电型半导体层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述第一电极进一步覆盖所述第一导电型半导体层以及所述发光单元的侧表面，并且通过所述下绝缘层绝缘。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其进一步包括：
上绝缘层，其至少部分地覆盖所述第一电极，
其中所述上绝缘层包括部分地暴露所述第一电极的第三开口和部分地暴露所述第二电极的第四开口。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其进一步包括：
第一焊盘，其设置在所述第三开口上并且电连接到所述第一电极；和
第二焊盘，其设置在所述第四开口上并且电连接到所述第二电极。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其进一步包括：
散热焊盘，其设置在所述上绝缘层上。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述散热焊盘设置在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间。
13.一种制造发光二极管的方法，其包括：
在衬底上形成第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；
形成至少两个发光单元，所述至少两个发光单元各自包括所述第二导电型半导体层、所述有源层和接触孔以及附加接触区域，所述附加接触区域通过部分地除去所述第二导电型半导体层和所述有源层而设置在所述发光单元之间的区域中，同时在所述发光单元中的每一者上形成第二电极以便与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；
形成下绝缘层，所述下绝缘层覆盖所述第一导电型半导体层的侧表面、所述发光单元和所述第二电极；以及
形成第一电极，所述第一电极通过所述接触孔和所述附加接触区域与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，
其中，所述接触孔穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层而形成，从而暴露所述第一导电型半导体层的一部分，所述第一导电型半导体层暴露于所述附加接触区域的下侧，且所述下绝缘层包括暴露所述接触孔和所述附加接触区域的第一开口和部分地暴露所述第二电极的第二开口。
14.根据权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其中，所述发光单元包括至少四个发光单元，且所述附加接触区域设置在由所述至少四个发光单元环绕的区域中。
15.根据权利要求14所述的制造发光二极管的方法，其中，所述附加接触区域设置在其中所述至少四个发光单元中的每一者的一个拐角与其他三个发光单元的拐角汇合的区域中。
16.根据权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其进一步包括：
形成一个或多个连接层，所述一个或多个连接层将设置在所述发光单元之一上的所述第二电极电连接到设置在邻近于所述一个发光单元的另一个发光单元上的所述第二电极。
17.根据权利要求16所述的制造发光二极管的方法，其中所述连接层与所述第一电极同时形成。
18.根据权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其中形成所述第一电极包括采用所述第一电极填充所述第一开口使得所述第一电极通过所述第一开口接触所述第一导电型半导体层。
19.根据权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其进一步包括：
在形成所述第一电极之后形成至少部分地覆盖所述第一电极的上绝缘层，
其中所述上绝缘层包括部分地暴露所述第一电极的第三开口和部分地暴露所述第二电极的第四开口。
20.根据权利要求19所述的制造发光二极管的方法，其进一步包括：
在所述第三开口上形成第一焊盘以便电连接到所述第一电极以及在所述第四开口上形成第二焊盘以便电连接到所述第二电极。
21.根据权利要求20所述的制造发光二极管的方法，其进一步包括：在所述上绝缘层上形成散热焊盘。
22.根据权利要求21所述的制造发光二极管的方法，其中所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述散热焊盘同时形成。
23.一种发光二极管，其包括：
包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，所述发光结构包括一个或多个台面，所述一个或多个台面在所述第一导电型半导体层上设置为彼此间隔开并且各自包括所述有源层和所述第二导电型半导体层且具有至少一个接触孔，所述至少一个接触孔穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层形成，从而暴露所述第一导电型半导体层的一部分；
第一电极，其通过所述台面的所述接触孔与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触；
电流扩散层，其设置在所述台面上并且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；
第二电极，其设置在所述电流扩散层上；以及
绝缘层，其覆盖所述发光结构和所述电流扩散层，并且包括部分地暴露所述第一电极和所述第二电极的开口，
其中所述接触孔中的每一者包括彼此间隔开的多个主接触孔以及将所述主接触孔彼此连接并且具有比所述主接触孔窄的宽度的辅助接触孔。
24.根据权利要求23所述的发光二极管，其进一步包括：
电流阻挡层，其设置在所述电流扩散层下方，
其中所述电流阻挡层设置在所述第二电极下方以便对应于所述第二电极的位置。
25.根据权利要求23所述的发光二极管，其中所述电流扩散层包括导电氧化物。
26.根据权利要求25所述的发光二极管，其中所述电流扩散层包括下电流扩散层和设置在所述下电流扩散层上的上电流扩散层。
27.根据权利要求25所述的发光二极管，其中所述电流扩散层是由掺杂有金属掺杂剂的导电氧化物形成。
28.根据权利要求23所述的发光二极管，其进一步包括：
第一焊盘和第二焊盘，其设置在所述绝缘层上并且分别电连接到所述第一电极和所述第二电极，
所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此间隔开。
29.根据权利要求28所述的发光二极管，其中所述第一电极包括：
第一欧姆接触电极，其设置在所述第一焊盘下方；
第二欧姆接触电极，其包括设置在所述第一焊盘下方的主电极和从所述主电极延伸至所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的区域下方的部分的延伸电极；以及
第三欧姆接触电极，其设置在所述第一焊盘下方并且与所述附加接触区域形成欧姆接触。
30.根据权利要求29所述的发光二极管，其中所述第二欧姆接触电极的所述主电极设置在所述主接触孔中，且所述第二欧姆接触电极的所述延伸电极设置在所述主接触孔和所述辅助接触孔中。
31.根据权利要求30所述的发光二极管，其中设置在所述主接触孔中的所述延伸电极的一部分具有比设置在所述辅助接触孔中的所述延伸电极的一部分大的宽度，并且设置在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的所述区域下方。
32.根据权利要求29所述的发光二极管，其中所述第二欧姆接触电极的所述延伸电极被所述绝缘层覆盖。
33.根据权利要求28所述的发光二极管，其中所述第二电极包括：
第一连接电极，其在所述第二焊盘下方；和
第二连接电极，其包括设置在所述第二焊盘下方的主电极和从所述主电极朝所述第一焊盘延伸的延伸电极。
34.根据权利要求33所述的发光二极管，其中所述第二连接电极的所述延伸电极延伸至所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的区域下方的一部分。
35.根据权利要求34所述的发光二极管，其中所述第二连接电极的所述延伸电极进一步延伸至所述第一焊盘下方的区域。
36.根据权利要求33所述的发光二极管，其中所述延伸电极具有比所述主电极小的宽度。
37.根据权利要求33所述的发光二极管，其中所述延伸电极被所述绝缘层覆盖。
38.根据权利要求23所述的发光二极管，其中所述台面包括多个台面；所述发光结构设置在所述台面之间并且进一步包括部分地暴露所述第一导电型半导体层的附加接触区域；且设置在所述附加接触区域上的所述第一电极通过所述绝缘层的所述开口而暴露。
39.根据权利要求23所述的发光二极管，其中所述绝缘层包括：
下绝缘层；和
上绝缘层，其设置在所述下绝缘层上。
40.根据权利要求39所述的发光二极管，其中，所述下绝缘层具有比所述上绝缘层大的厚度，且所述上绝缘层包括分布式布拉格反射器。
41.根据权利要求40所述的发光二极管，其中，所述下绝缘层是由SiO2形成并且具有0.2μm至1.0μm的厚度，且所述上绝缘层具有其中TiO2/SiO2层彼此交替堆叠的堆叠结构。
42.根据权利要求39所述的发光二极管，其中，所述第一电极和所述第二电极的至少一部分围绕所述下绝缘层的所述开口而覆盖所述下绝缘层的上表面以插在所述下绝缘层和所述上绝缘层之间。