1.一种装置，包括：
第一读端口；
第二读端口；
写端口；以及
至少一个存储锁存器，
其中包括所述第一读端口、所述第二读端口和所述写端口的位单元的宽度大于与所述位单元相关联的接触式多晶间距(CPP)的两倍。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述位单元是使用小于14纳米(nm)的半导体制造工艺来制造的。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述半导体制造工艺包括10nm工艺。
4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述半导体制造工艺包括7nm工艺。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述位单元包括第一金属层。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一金属层不包括非线性图案。
7.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述位单元包括形成在所述第一金属层上方的第二金属层，其中所述第二层不包括非线性图案。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层是使用自对准双图案化(SADP)工艺来图案化的。
9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，进一步包括：
将所述第一金属层连接至所述第二金属层的第一通孔；以及
将所述第一金属层连接至所述第二金属层的第二通孔，
其中所述第一通孔与所述第二通孔之间的间隔与双掩模光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)工艺兼容。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述间隔大于60纳米(nm)。
11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述位单元的宽度大于或等于与所述位单元相关联的所述CPP的三倍。
12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，与所述位单元相关联的所述CPP是约60-66nm。
13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述位单元包括第一存储锁存器和第二存储锁存器，其中所述第一存储锁存器的第一侧通过短路连接来连接至所述第二存储锁存器的第一侧。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第一读端口和所述第二读端口在所述第一存储锁存器和所述第二存储锁存器的第二侧，其中所述第二侧与所述第一侧相对。
15.一种位单元，包括：
用于读取数据的第一装置；
用于读取数据的第二装置；
用于写入数据的装置；
用于存储数据的第一装置；以及
用于存储数据的第二装置，
其中所述用于存储数据的第一装置的第一侧通过短路连接来连接至所述用于存储数据的第二装置的第一侧。
16.如权利要求15所述的位单元，其特征在于，所述用于读取数据的第一装置和所述用于读取数据的第二装置在所述用于存储数据的第一装置和所述用于存储数据的第二装置的第二侧，其中所述第二侧与所述第一侧相对。
17.如权利要求15所述的位单元，其特征在于，所述位单元的宽度大于与所述位单元相关联的接触式多晶间距(CPP)的两倍。
18.一种方法，包括：
通过自对准双图案化(SADP)工艺来图案化位单元的第一金属层，其中所述位单元包括第一读端口、第二读端口和写端口；以及
通过所述SADP工艺来图案化所述位单元的第二层，
其中所述位单元的宽度大于与所述位单元相关联的接触式多晶间距(CPP)的两倍。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述位单元的第一存储锁存器与所述位单元的第二存储锁存器之间形成短路连接。
20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述位单元被包括在静态随机存取存储器(SRAM)器件中。