技术总结
一种装置包括第一读端口、第二读端口、写端口以及至少一个存储锁存器。包括第一读端口、第二读端口和写端口的位单元的宽度大于与该位单元相关联的接触式多晶间距(CPP)的两倍。例如，位单元可以是与自对准双图案化(SADP)工艺兼容且可使用小于14纳米(nm)的半导体制造工艺来制造的三端口静态随机存取存储器(SRAM)位单元。
技术研发人员：N·N·莫江德;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
文档号码：201580044997
技术研发日：2015.07.23
技术公布日：2017.05.31