电子组件的制作方法

技术领域

本公开涉及一种电子组件。

背景技术：

作为电子组件的电感器，是与电阻器和电容器一起构成电子电路以去除噪声或者用在构成LC振荡电路等的组件的代表性无源元件。

根据近年来的电子产品的复杂度和多功能化增大的趋势，对在所述电子产品中使用的电子组件已经逐渐要求尺寸紧凑、大电流容量以及高容量。

具体地说，对于用于电源管理集成电路(PMIC)或直流(dc)-dc转换器(DDC)中的功率电感器，将电力供应到集成电路(IC)的结构改变为在PMIC周围使用多个功率电感器的结构。

此外，由于功率电感器根据产品的复杂性增大而具有大电流和高频率的容量，所以提高电感器的耐受电压非常重要。

技术实现要素：

本公开的一方面可提供一种电子组件，当被施加高电压时，所述电子组件能够去除或降低在电感器的表面上流动的细小电流。

根据本公开的一方面，一种电子组件可包括至少一个电流路径阻挡部，所述至少一个电流路径阻挡部沿与将线圈的端子暴露的方向交叉的方向形成在磁性体的表面中。

根据本公开的另一方面，一种电子组件可包括：磁性体，包括暴露到磁性体的长度方向上的两个端部的线圈部以及分别设置在线圈部的上面和下面的上覆盖层和下覆盖层，并具有沿与长度方向交叉的方向形成在上覆盖层或 下覆盖层的一个主表面中的至少一个凹入部；外电极，分别形成在磁性体的长度方向上的两个端部上并且连接到线圈部的暴露的部分。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，将更加清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和优势，在附图中：

图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的电子组件的透明的透视图，使得电子组件的线圈部可见；

图2是沿着图1的I-I’线截取的截面图；

图3是图1中示出的电子组件的透视图；

图4是图1中示出的电子组件的平面图；

图5是图1中示出的电子组件的侧视图；

图6是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的电子组件的透视图；

图7是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的电子组件的透视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。

然而，本公开可按照多种不同的形式来实施，并不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。更确切地说，这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的，且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。

在附图中，为了清晰起见，会夸大元件的形状和尺寸，并将始终使用相同的标号来表示相同或相似的元件。

电子组件

在根据示例性实施例的电子组件中，可沿着与线圈部端子暴露的方向交叉的方向在磁性体的表面中形成至少一个电流路径阻挡部。

此外，电流路径阻挡部可由在磁性体的至少一个主表面中形成的凹入部形成。

下文中，将描述根据示例性实施例的电子组件(具体地，薄膜型电感器)。然而，电子组件不必限于此。

图1是示意性地示出根据示例性实施例的电子组件的透明的透视图，使得电子组件的内线圈部可见，图2是沿着图1的I-I’线截取的截面图，图3是图1中示出的电子组件的透视图。

参照图1至图3，示出了薄膜型电感器100作为电子组件的示例。

在根据示例性实施例的薄膜型电感器100中，‘长度’方向是指图1的‘L’方向，‘宽度’方向是指图1的‘W’方向，‘厚度’方向是指图1的‘T’方向。

根据示例性实施例的薄膜型电感器100可包括磁性体50以及形成在磁性体50的长度方向上的两个端部上的一对外电极80。

此外，磁性体50可包括设置在其中的线圈部以及分别设置在线圈部的上面和下面的上覆盖层51和下覆盖层52。

磁性体50可形成薄膜型电感器100的外部结构并且包含，例如，铁氧体或金属磁性颗粒，但磁性体50的材料不必限于此。也就是说，磁性体可不受限制地包含多种材料，只要材料表现出磁性性质即可。

此外，金属磁性颗粒可由包含从铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、铝(Al)以及镍(Ni)组成的组中选择的任何一种或更多种组成。例如，金属磁性颗粒可包含Fe-Si-B-Cr基非晶金属颗粒，但不必限于此。

在这种情况下，根据需要，可以以将金属磁性颗粒分散在聚合物(例如环氧树脂、聚酰亚胺等)中的形式包含金属磁性颗粒，因此，可确保表面的绝缘性质。

线圈部可包括设置在上覆盖层51与下覆盖层52之间的线圈支撑层20以及第一线圈层42与第二线圈层44。

线圈支撑层20可由，例如，绝缘基板(更具体地，聚丙二醇(PPG)基板、铁氧体基板、金属基软磁性基板等中的一种)形成。然而，线圈支撑层20不限于此。

可形成穿透线圈支撑层20的中部的孔，并且孔可填充有磁性材料(例如铁氧体、金属磁性颗粒等)，从而形成中部55。

由于形成了填充有磁性材料的中部55，可提高电感器的电感L。

第一线圈层42和第二线圈层44可分别设置在线圈支撑层20的一个表面和另一表面上。

第一线圈层42和第二线圈层44可形成为诸如螺旋形状的图案。

分别设置在线圈支撑层20的一个表面和另一表面上并使线圈支撑层20设置在它们之间的第一线圈层42和第二线圈层44可通过沿垂直于长度方向穿透线圈支撑层20的至少一个过孔电极46来彼此电连接。

在这种情况下，第一线圈层42、第二线圈层44以及过孔电极46可由具有良好导电性的金属形成。例如，第一线圈层42、第二线圈层44以及过孔电极46可由银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)或它们的合金中的至少一种形成。

此外，形成在线圈支撑层20的一个表面上的第一线圈层42的端子42a可暴露到磁性体50的长度方向上的一个端表面，形成在线圈支撑层20的另一表面上的第二线圈层44的端子44a可暴露到磁性体50的长度方向上的另一端表面。

此外，可分别在磁性体50的上覆盖层51或下覆盖层52的厚度方向上的一个表面上沿与将第一线圈层42的端子42a和第二线圈层44的端子44a暴露的长度方向交叉的方向形成一个或更多个凹入部71和72(例如，具有凹槽形状)。

虽然本示例性实施例中示出并描述了在厚度方向上分别形成在上覆盖层51和下覆盖层52的一个表面中的凹入部71和72，但凹入部71和72不限于此。也就是说，可仅在上覆盖层或下覆盖层中形成凹入部71和72。

此外，根据本示例性实施例，凹入部71和72可以是线性槽部。例如，具有线性槽形状的线性凹入部71和72可沿着与将第一线圈层42的端子42a和第二线圈层44的端子44a暴露的长度方向交叉的宽度方向延伸。

在这种情况下，凹入部71和72可形成为与将第一线圈层42的端子42a和第二线圈层44的端子44a暴露的长度方向垂直地交叉。根据需要，可以以90°左右或者90°或更大的角度沿着与将第一线圈层42的端子42a和第二线圈层44的端子44a暴露的长度方向交叉或倾斜地交叉的方向形成凹入部71和72。

此外，凹入部71和72可形成为沿直线形状延伸，使得凹入部71和72通过上覆盖层51或下覆盖层52的宽度方向上的两个侧表面开口。

在这种情况下，可形成凹入部71和72使得将上覆盖层51或下覆盖层52的厚度方向上的一个表面与其宽度方向上的一个侧表面彼此连接的 上覆盖层51或下覆盖层52的边缘开口。

然而，凹入部71和72不限于此，根据需要，凹入部71和72可形成为在其中部弯曲为弧形或弯折形。

同时，可在凹入部71和72中形成由绝缘材料(例如环氧树脂)形成的涂覆层(未示出)。如上描述的涂覆层可更有效地提高在外电极80之间阻挡电流路径的作用或增加外电极80之间的电流路径长度的作用。

可在磁性体50的长度方向上的两个端部上形成所述一对外电极80。

如上描述的所述一对外电极80可电连接到第一线圈部42的端子42a和第二线圈部44的端子44a，所述端子42a和44a暴露到磁性体50的长度方向上的两个端表面。

当对电子组件施加耐受电压时，加强电子组件的电流电导率最高的表面的绝缘性质非常重要，并且表面的电流路径沿形成端子的长度方向流动。

根据本示例性实施例，当施加高电压时，可通过沿与长度方向交叉的方向形成的凹入部71和72部分地阻挡在磁性体50的表面上沿长度方向流动的细小电流的电流路径CP，并且电流路径可形成为细长的，从而可去除流动在磁性体50的表面上的细小的电流。

在上述结构的情况下，当施加耐受电压之后测量表面电阻时，表面电阻可以为10⁵Ω或更大。

外电极80可包含具有良好导电性的金属。例如，外电极80可由镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)或它们的合金等形成。然而，外电极80的材料不必限于此。

图4是图1中示出的电子组件100的平面图。

参照图4，凹入部71和72的宽度a可以为3μm至100μm。

当凹入部71和72的宽度a小于3μm时，阻挡电流路径的效果会不足，当凹入部71和72的宽度a大于100μm时，会使电感降低。

图5是图1中示出的电子组件100的侧视图。

参照图5，凹入部71和72的深度b可以为3μm至100μm。

当凹入部71和72的深度b小于3μm时，阻挡电流路径的效果会不足，当凹入部71和72的深度b大于100μm时，会使电感降低。

变型的示例性实施例

图6是示意性地示出了根据另一示例性实施例的电子组件的透视图。

这里，由于线圈部和外电极的结构与上面描述的示例性实施例中的线圈部和外电极的结构相似，所以将省略其详细描述以避免重复描述。

参照图6，根据另一示例性实施例的凹入部可包括一对上凹入部71a和一对下凹入部72a，所述一对上凹入部71a仅形成在磁性体50’的上覆盖层51的将上覆盖层51的厚度方向上的一个表面与其宽度方向上的两个侧表面彼此连接的边缘中，所述一对下凹入部72a仅形成在磁性体50’的下覆盖层52的将下覆盖层52的厚度方向上的一个表面与其宽度方向上的两个侧表面彼此连接的边缘中。

这里，所述一对上凹入部71a可设置在沿宽度方向彼此相对的位置。可选地，根据需要，所述一对上凹入部71a可沿宽度方向彼此不对齐，从而设置在彼此不相对的位置。

此外，所述一对下凹入部72a可设置在沿宽度方向彼此相对的位置。可选地，根据需要，所述一对下凹入部72a可沿厚度方向彼此不对齐，从而设置在彼此不相对的位置。

图7是示意性地示出根据另一示例性实施例的电子组件的透视图。

由于线圈部和外电极的结构与上面描述的示例性实施例中的线圈部和外电极的结构相似，所以将省略其详细描述以避免重复描述。

参照图7，根据另一示例性实施例的凹入部可从磁性体50”的上覆盖层51或下覆盖层52的表面凹入为向内凹并且具有圆形截面。

在这种情况下，凹入部73和74可形成在将上覆盖层51或下覆盖层52的厚度方向上的一个表面与其两个侧表面彼此连接的边缘中。此外，多个凹入部75和76可不连续并地随机地设置在在上覆盖层52或下覆盖层52的厚度方向上的一个表面中。

此外，根据需要，凹入部的形状可进行各种改变。例如，如上面描述的示例性实施例，凹入部可形成为沿磁性体的宽度方向延伸，或可延伸为从上覆盖层或下覆盖层的厚度方向上的一个表面至其宽度方向上的两个侧表面开口。

此外，根据需要，形成凹入部的表面可进行各种改变。例如，如上面描述的示例性实施例，凹入部可基本上形成在厚度方向上的一个或两个表面中，或者，可基本上形成在沿宽度方向上的一个或两个表面中，或者可 形成在厚度方向上和宽度方向上的一个或更多个表面中或所有的表面中。根据一个实施例，凹入部可在厚度和宽度方向上的所有的表面中连续地延伸并包围线圈部。

如上所述，根据示例性实施例，当施加高电压时，可通过电流路径阻挡部来阻挡在磁性体的表面上流动的细小电流的电流路径。可使在磁性体中流动的电流的电流路径形成为尽可能长，从而可消除或减小在电感器的表面上流动的细小电流。

虽然已经在上面示出和描述了示例性实施例，但本领域技术人员将清楚的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以做出修改和更改。