有机发光二极管显示器及其制造方法与流程

文档序号:11136590阅读:来源:国知局

技术特征:

1.有机发光二极管显示器,包括:

第一有机发光元件,配置为发射与第一波长范围对应的光;

第二有机发光元件,配置为发射与第二波长范围对应的光,所述第二波长范围的中心波长比所述第一波长范围的中心波长短;

第三有机发光元件,配置为发射与第三波长范围对应的光,所述第三波长范围的中心波长比所述第一波长范围的中心波长长;

第四有机发光元件,配置为发射与第四波长范围对应的光,所述第四波长范围的中心波长比所述第三波长范围的中心波长长;以及

空穴注入层,布置在所述第一有机发光元件、所述第二有机发光元件、所述第三有机发光元件以及所述第四有机发光元件下方,

其中,所述第一有机发光元件包括布置在所述空穴注入层上的第一辅助层,以及

所述第四有机发光元件包括布置在所述空穴注入层上的第二辅助层。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:

所述第一有机发光元件包括布置在所述第一辅助层上的第一有机发射层,以及

所述第二有机发光元件包括布置在所述空穴注入层上的第二有机发射层。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:

所述第四有机发光元件包括布置在所述第二辅助层上的第一空穴传输层,以及

所述第三有机发光元件包括布置在所述空穴注入层上的第二空穴传输层。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中:

所述第四有机发光元件包括布置在所述第一空穴传输层上的第三辅助层。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:

所述第一有机发光元件和所述第二有机发光元件配置为发射不同的蓝光。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中:

所述第一波长范围为459nm至490nm,以及

所述第二波长范围为440nm至458nm。

7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:

所述空穴注入层整体地形成为位于所述第一有机发光元件、所述第二有机发光元件、所述第三有机发光元件以及所述第四有机发光元件下方。

8.用于制造有机发光二极管显示器的方法,包括:

在形成有像素电路的衬底上形成空穴注入层;

在所述空穴注入层上形成第一辅助层和第二辅助层,所述第一辅助层和所述第二辅助层布置在所述空穴注入层的不同位置上;

在所述第一辅助层上形成第一有机发射层;以及

在所述第二辅助层上形成第一空穴传输层。

9.如权利要求8所述的方法,其中:

当形成所述第一有机发射层时,

在所述空穴注入层上与所述第一有机发射层分离的位置处同时形成第二有机发射元件。

10.如权利要求9所述的方法,其中:

当形成所述第一空穴传输层时,

在所述空穴注入层上与所述第一有机发射层、所述第二有机发射层以及所述第一空穴传输层分离的位置处同时形成第二空穴传输层。

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