技术特征：
技术总结
本发明提供一种氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管，方法包括：在氮化镓基底上形成钝化层；在所述钝化层中形成欧姆接触电极，所述欧姆接触电极的底部接触所述氮化镓基底，所述欧姆接触电极包括自下而上依次形成的Ti层、AlSi层和Mo层；在所述钝化层中和所述氮化镓基底中形成栅极，所述栅极的底部位于所述氮化镓基底中。根据本发明，可使氮化镓场效应晶体管的表面有更好的形貌，进而能够提高欧姆接触电阻的可靠性，改善氮化镓场效应晶体管的整体性能。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03