技术特征：
1.一种共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，包括共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，及嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中的至少一层共面波导的缺陷结构，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构，包括共面波导结构及嵌套在共面波导结构中的λg/4型的SIR单元结构，所述的共面波导结构，包括介质基片，在介质基片上表面中间位置处敷设有共面波导信号线，在共面波导信号线两侧敷设有共面波导地，所述的共面波导信号线和共面波导地之间留有间隙，所述的λg/4型的SIR单元结构，包括相连接的一根较粗的传输线和一根较细的传输线，所述的共面波导结构和λg/4型的SIR单元结构在嵌套成共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构时，所述的较细的传输线一端与所述的共面波导地连接形成短路，所述的较粗的传输线一端与共面波导地、共面波导信号线都不连接，形成开路，所述的共面波导的缺陷结构，包括所述的共面波导结构，在所述的共面波导地上分别开有矩形的缺陷地，缺陷地朝向共面波导信号线一侧，通过一开口与共面波导信号线和共面波导地之间的间隙相连通，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构和共面波导的缺陷结构在嵌套成共面波导宽阻带滤波器时，所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中。2.根据权利要求1所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有一层共面波导的缺陷结构，\t所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中，共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导信号线一侧。3.根据权利要求2所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环。4.根据权利要求1所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有两层共面波导的缺陷结构，所述的第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中共面波导信号线一侧，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环，矩形环内的共面波导地不完全镂空，所述的第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分内的共面波导地中，第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中共面波导信号线一侧。5.根据权利要求1所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有两层共面波导的缺陷结构，所述的第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中共面波导信号线一侧，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环，矩形环内的共面波导地不完全镂空，所述的第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套\t在第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分内的共面波导地中，第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中和共面波导信号线相对平行的一侧。6.根据权利要求1所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中嵌套有两层共面波导的缺陷结构，所述的第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中较粗的传输线中，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中共面波导信号线一侧，第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环，矩形环内的共面波导地不完全镂空，所述的第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分嵌套在第一层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分内的共面波导地中，第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分的开口朝向所述的共面波导λg/4型的SIR短路支节单元结构中和共面波导信号线相垂直的一侧。7.根据权利要求4-6任意一项所述的共面波导宽阻带滤波器，其特征在于，所述的第二层共面波导的缺陷结构的缺陷地部分为一矩形环。