技术特征：
技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的基底进行预非晶化处理，在所述栅极结构两侧的基底内形成非晶区；在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏掺杂区；在所述非晶区上形成应力盖帽层，对所述应力盖帽层以及非晶区进行退火处理，所述退火处理适于使所述非晶区在重新结晶的过程中形成位错，所述位错适于向所述栅极结构下方的沟道区提供拉应力。本发明提高了作用于沟道区的拉应力大小，从而提高沟道区的载流子迁移率，改善半导体器件的电学性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.06.13
技术公布日：2017.12.19