1.一种封装叠加半导体组件，其包括：
一核心基座，其包括一介电层、一树脂密封层及一系列金属柱，其中(i)该介电层具有一凹穴，且该凹穴由该介电层的一顶面延伸，(ii)该树脂密封层设置于该介电层的该顶面上，且(iii)所述金属柱设置于该树脂密封层中；
一第一半导体元件，其被该介电层的该凹穴于侧向上所限制，且具有主动垫，所述主动垫通过一黏着剂贴附至该介电层的该凹穴的一底板；
一底部增层电路，其设置于该核心基座的一底面上，其中该底部增层电路通过延伸穿过该黏着剂及该介电层的金属化盲孔，电性耦接至该第一半导体元件的所述主动垫，同时该底部增层电路还通过延伸穿过该介电层的额外金属化盲孔，电性耦接至所述金属柱；以及
一第二半导体元件，其设置于该核心基座的一顶面上，其中该第二半导体元件通过所述金属柱及该底部增层电路，电性耦接至该第一半导体元件。
2.如权利要求1所述的封装叠加半导体组件，其特征在于，该第一介电层含有玻璃纤维，而该树脂密封层则不含玻璃纤维。
3.如权利要求1所述的封装叠加半导体组件，其特征在于，还包括：一顶部增层电路，其设置于该核心基座的该顶面上，且位于该核心基座与该第二半导体元件之间，其中该第二半导体元件电性耦接至该顶部增层电路，而该顶部增层电路通过所述金属柱及该底部增层电路，电性耦接至该第一半导体元件。
4.如权利要求1所述的封装叠加半导体组件，其特征在于，该第一半导体元件包括一半导体芯片、一重布层及一模封材，该重布层的一底面处具有所述主动垫，而该半导体芯片设置于该重布层的一顶面上，并电性耦接至该重布层的所述主动垫，且被该模封材所包围。
5.如权利要求1所述的封装叠加半导体组件，其特征在于，该核心基座还包括一系列辅助金属垫，其被该介电层侧向覆盖，并电性耦接至所述金属柱及该底部增层电路的所述额外金属化盲孔，且设置于所述金属柱与所述额外金属化盲孔之间。
6.如权利要求5所述的封装叠加半导体组件，其特征在于，所述辅助金属垫的厚度实质上相等于该介电层的该凹穴的深度。
7.一种封装叠加半导体组件，其特征在于，其包括：
一核心基座，其包括一介电层、一树脂密封层及一系列金属柱，其中(i)该介电层具有一凹穴及一系列穿孔，该凹穴由该介电层的一顶面延伸，而所述穿孔于该凹穴的一底板处延伸穿过该介电层，(ii)该树脂密封层设置于该介电层的该顶面上，且(iii)所述金属柱设置于该树脂密封层中；
一第一半导体元件，其被该介电层的该凹穴于侧向上所限制，且通过一黏着剂贴附至该介电层的该凹穴的该底板，其中该第一半导体元件具有凸块，且所述凸块延伸穿过该底板处的所述穿孔；
一底部增层电路，其设置于该核心基座的一底面上，其中该底部增层电路电性耦接至该第一半导体元件的所述凸块，同时该底部增层电路还通过延伸穿过该介电层的金属化盲孔，电性耦接至所述金属柱；以及
一第二半导体元件，其设置于该核心基座的一顶面上，其中该第二半导体元件通过所述金属柱及该底部增层电路，电性耦接至该第一半导体元件。
8.如权利要求7所述的封装叠加半导体组件，其特征在于，还包括：一顶部增层电路，其设置于该核心基座的该顶面上，且位于该核心基座与该第二半导体元件之间，其中该第二半导体元件电性耦接至该顶部增层电路，而该顶部增层电路通过所述金属柱及该底部增层电路，电性耦接至该第一半导体元件。