技术总结
制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成多个栅极结构。在栅极结构上沉积第一层间介电层。在每两个紧邻的栅极结构之间的第一层间介电层中形成第一接触插塞。在第一层间介电层上沉积蚀刻停止层。在第一层间介电层上沉积第二层间介电层。在第二层间介电层中形成与第一接触插塞对准的第二接触插塞。在第二层间介电层和第二接触插塞上面沉积金属层。本发明的实施例还涉及高高宽比的接触结构及其制造方法。
技术研发人员：吕思贤;廖宏哲;庄坤苍;许世禄;林玉珠;周君冠
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610554856
技术研发日：2016.07.14
技术公布日：2017.02.15