1.一种基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
a. 阴极导电电极层的制备：在硅片或玻璃表面均匀涂覆一层电极材料浆，利用真空管式炉对该硅片进行退火，温度范围在800～1000℃，保温时间在10～20min，使电极材料浆层固化形成厚度为5～10 nm阴极导电电极层；
b. 光学薄膜层非晶硅的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法，按照氢气、硅烷和硼烷的比例范围在10:80:（1～3）的比例进行化学气相沉积工艺，控制射频功率范围为40～100W，温度范围为150～250℃，压强为0.4～0.8Torr，气体辉光气压范围为90Pa以下，依次制备n型、i型和p型此各层非晶硅，其具体工艺参数为：
① n型层非晶硅的制备：采用磷烷PH3与硅烷SiH4体积流量比为20%，制备的n型层非晶硅厚度为10～30nm；
② i型层非晶硅制备：采用硅烷SiH4与氢气H2体积流量比为12.5%，制备的i型层非晶硅厚度为1～3nm；
③ p型层非晶硅的制备：采用硼烷B2H6与硅烷SiH4体积流量比为30%，制备的p型层非晶硅厚度为160～300nm；
c. 阳极导电电极层的制备：使用磁控溅射方法，在所述步骤b的第③步骤中制备的p型层非晶硅上继续制备阳极导电电极层，控制磁控溅射功率在60～100W，磁控溅射时间在40～80min，所制备的阳极导电电极层厚度为200～400nm，完成基于非晶硅薄膜层的p-i-n非晶—晶体异质结太阳能电池器件结构的制备。
2.根据权利要求1所述基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，制备阴极导电电极层的电极材料浆采用银浆。
3.根据权利要求1或2所述基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，制备阳极导电电极层为掺铝氧化锌导电电极层。