1.一种半导体装置，包括：
半导体层，所述半导体层由第一导电型构成；
阱区域，所述阱区域是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；
源区域，所述源区域是第一导电型的源区域，形成在所述阱区域的表层部上并且包括邻近阱区域限定的第一区域和邻近所述第一区域限定的第二区域；
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述半导体层上并且在所述栅极绝缘膜中限定：
第一部分，所述第一部分接触源区域的第一区域；
第二部分，所述第二部分接触阱区域，并且所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度相同；和
第三部分，所述第三部分接触源区域的第二区域，并且所述第三部分的厚度大于所述第一部分的厚度；和
栅电极，所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜上，并且通过所述栅极绝缘膜与所述阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置，
所述源区域的第一区域的杂质浓度低于所述源区域的第二区域的杂质浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
半导体层与栅极绝缘膜之间的界面被氢终端化。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘膜具有厚度，所述厚度在源区域的第一区域的表面和源区域的第二区域的表面之间变化从而形成阶梯，并且栅极绝缘膜的第三部分的厚度大于栅极绝缘膜的第一部分的厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述源区域和所述沟道区域在沿着所述半导体层的上表面的方向上相邻地形成，并且栅极绝缘膜形成在半导体层的上表面上。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述源区域和所述沟道区域在正交于所述半导体层的上表面的方向上相邻地形成，其中沟渠形成在半导体层中，从所述源区域的上表面向下延伸以通过所述源区域和所述阱区域，并且其中所述栅极绝缘膜形成在沟渠的内表面上。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括接触区域，所述接触区域是第二导电型的接触区域，形成为穿过所述源区域的第一区域和第二区域两者。
7.一种半导体装置，包括：
半导体层，所述半导体层由第一导电型碳化硅构成；
阱区域，所述阱区域是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；
源区域，所述源区域是第一导电型的源区域，形成在所述阱区域的表层部上并且包括邻近阱区域限定的第一区域和邻近所述第一区域限定的第二区域，第一区域的杂质浓度比第二区域的杂质浓度低；
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述半导体层上并且在所述栅极绝缘膜中限定：
第一部分，所述第一部分接触源区域的第一区域；
第二部分，所述第二部分接触阱区域，并且所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度相同；和
第三部分，所述第三部分接触第二区域，并且所述第三部分的厚度大于所述第一部分的厚度；和
栅电极，所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜上，并且通过所述栅极绝缘膜与所述阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置。
8.一种半导体装置，包括：
半导体层，所述半导体层是第一导电型半导体层；
阱区域，所述阱区域是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；
源区域，所述源区域是第一导电型的源区域，形成在所述阱区域的表层部上并且包括邻近阱区域限定的第一区域和邻近所述第一区域限定的第二区域，第一区域的杂质浓度比第二区域的杂质浓度低；
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述半导体层上并且在所述栅极绝缘膜中限定：
第一部分，所述第一部分接触源区域的第一区域；
第二部分，所述第二部分接触阱区域，并且所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度相同；和
第三部分，所述第三部分接触第二区域，并且所述第三部分的厚度大于所述第一部分的厚度；和
栅电极，所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜上，并且通过所述栅极绝缘膜与所述阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置，
其中漏金属形成在半导体层的下表面侧。
9.根据权利要求1、7、8中任一项所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘膜具有厚度，所述厚度在源区域的第一区域的表面和源区域的第二区域的表面之间变化从而形成阶梯，并且栅极绝缘膜的第三部分的厚度大于栅极绝缘膜的第一部分的厚度。
10.根据权利要求1、7、8中任一项所述的半导体装置，其中所述源区域和所述沟道区域在沿着所述半导体层的上表面的方向上相邻地形成，并且栅极绝缘膜形成在半导体层的上表面上。
11.根据权利要求1、7、8中任一项所述的半导体装置，其中所述源区域和所述沟道区域在正交于所述半导体层的上表面的方向上相邻地形成，其中沟渠形成在半导体层中，从所述源区域的上表面向下延伸以通过所述源区域和所述阱区域，并且其中所述栅极绝缘膜形成在沟渠的内表面上。
12.根据权利要求1、7、8中任一项所述的半导体装置，还包括接触区域，所述接触区域是第二导电型的接触区域，形成为穿过所述源区域的第一区域和第二区域两者。
13.一种半导体装置，包括：
半导体层，所述半导体层由第一导电型构成；
阱区域，所述阱区域是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；
源区域，所述源区域是第一导电型的源区域，形成在所述阱区域的表层部上；
沟渠，所述沟渠形成在半导体层中，从所述源区域的上表面向下延伸以通过所述源区域和所述阱区域；
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在沟渠的内表面上，所述栅极绝缘膜包括凸块部分，所述凸块部分改变所述栅极绝缘膜在源区域处的厚度，所述凸块部分形成在所述沟渠的侧表面上，并且邻近所述沟道区域；和
栅电极，所述栅电极通过所述栅极绝缘膜与所述阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中栅极绝缘膜的上端通过层间绝缘膜覆盖。
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘膜包括氧化硅膜。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘膜还包括氧化硅膜上的与源区域相对的氮氧化铝膜，并且氮氧化铝膜没有凸块。
17.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括接触区域，所述接触区域是形成为穿过所述源区域的第二导电型的接触区域。
18.根据权利要求13所述的半导体装置，其中凸块部分的长度为0.1微米。
19.根据权利要求14所述的半导体装置，还包括源金属，所述源金属从上面覆盖层间绝缘膜和源区域。
20.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述栅电极由金属材料制成，并且被嵌入在沟渠中。
21.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括半导体基板，所述半导体基板由第一导电型碳化硅构成，相对于该半导体层与阱区域相反。
22.一种半导体装置，包括：
半导体层，所述半导体层由第一导电型构成；
阱区域，所述阱区域是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；
源区域，所述源区域是第一导电型的源区域，形成在所述阱区域的表层部上；
沟渠，所述沟渠形成在半导体层中，从所述源区域的上表面向下延伸以通过所述源区域和所述阱区域；
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在沟渠的内表面上，所述栅极绝缘膜包括凸块部分，所述凸块部分改变所述栅极绝缘膜在源区域处的厚度，栅极绝缘膜在凸块部分之上的上部区域的厚度大于栅极绝缘膜在凸块部分之下的下部区域的厚度；和
栅电极，所述栅电极通过所述栅极绝缘膜与所述阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置。
23.根据权利要求22所述的半导体装置，其中下部区域的厚度在阱区域侧和源区域侧之间相同。
24.根据权利要求22所述的半导体装置，其中所述凸块部分由于在源区域中的杂质浓度的差异而形成，
与所述沟道区域相邻的给定宽度的第一区域的杂质浓度比在源区域中第一区域以外和邻近上表面的第二区域的杂质浓度低，和
下部区域的部分沿着第一区域定位。