1.一种逆导型IGBT，在N型高阻半导体材料表面形成P型区(1)，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区(3)和P型体接触区(4)；在N型发射区(3)中部具有贯穿P型区(1)且底部与N型高阻半导体相接触的介质槽(2)，介质槽中具有位于槽内壁的绝缘介质层(21)和由绝缘介质层(21)包围的导电材料(22)，由介质槽中的导电材料(22)引出栅电极，形成槽栅结构；所述N型发射区(3)和P型体接触区(4)的共同引出端为发射极电极；在N型高阻半导体材料的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N型区(51)和P型区(52)形成集电区，所述N型区(51)和P型区(52)的共同引出端为集电极；所述集电区的正上方具有电场截止区(6)，电场截止区(6)与集电区之间在器件纵向方向上有距离，电场截止区(6)由沿器件横向方向连续交替变换的重掺杂N型区和轻掺杂P型区组成；所述器件横向方向和器件纵向方向位于同一水平面且相互垂直。
2.根据权利要求1所述的一种逆导型IGBT，其特征在于，所述电场截止区(6)中的重掺杂N型区域沿器件横向方向上的宽度均相等，所述电场截止区(6)中的轻掺杂P型区域沿器件横向方向上的宽度均相等。
3.一种逆导型IGBT，在N型高阻半导体材料表面形成若干个P型阱区(1)，在P型阱区表面沿器件横向方向并列形成N型发射区(3)和P型体接触区(4)，N型发射区(3)靠近P型阱区(1)边缘，P型体接触区(4)远离P型阱区(1)边缘,，二者的共同引出端为发射极电极，所述N型发射区(3)与P型阱区(1)边缘有间距；在两相邻P型阱区(1)中的两个相邻N型发射区(3)之间的半导体表面覆盖栅介质，栅介质表面覆盖导电材料形成平面栅结构，并引出栅电极；在N型高阻半导体材料的背面，由交替变换的N型区(51)和P型区(52)形成集电区，所述N型区(51)和P型区(52)的共同引出端为集电极电极；所述集电区的正上方具有电场截止区(6)，电场截止区(6)与集电区之间在器件纵向方向上有距离，电场截止区(6)由沿器件横向方向连续交替变换的重掺杂N型区和轻掺杂P型区组成。
4.根据权利要求3所述的一种逆导型IGBT，其特征在于，电场截止区(6)中的重掺杂N型区域沿器件横向方向上的宽度均相等，轻掺杂P型区域沿器件横向方向上的宽度也相等。