1.一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，其特征在于，该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成，每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层，所述的发射区采用n型子电池主体材料，窗口层采用n型材料，该窗口层材料禁带宽度大于发射区电池主体材料，该窗口层材料与发射区电池主体材料禁带宽度差不小于0.50eV，500-900nm波长范围内光学折射率差不高于0.25。
2.如权利要求1所述的含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，其特征在于，所述的宽禁带子电池禁带宽度1.90-2.20eV，所述的中禁带子电池禁带宽度1.35-1.75eV，所述的窄禁带子电池禁带宽度0.60-1.20eV。
3.如权利要求1所述的含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，其特征在于，所述的发射区采用Si掺杂的n型的电池主体材料，厚度为40-100nm，掺杂浓度为1×1017～1×1018cm-3。
4.如权利要求3所述的含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，其特征在于，所述的电池主体材料采用AlxGa1-xAs材料，其中，x＝0.20～0.37。
5.如权利要求1所述的含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，其特征在于，所述的窗口层材料的禁带宽度大于电池主体材料，该窗口层材料的光学折射率与电池主体材料相近。
6.如权利要求5所述的含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，其特征在于，所述的窗口层采用Si掺杂的AlxGa1-xAs，其中，x＝0.40～0.70。
7.如权利要求6所述的含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，其特征在于，所述的窗口层厚度为10-50nm，掺杂浓度为1×1018～5×1018cm-3。