技术总结
本发明公开了一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成，每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层，所述的发射区采用n型子电池主体材料，窗口层采用n型材料，该窗口层材料禁带宽度大于发射区电池主体材料，该窗口层材料与发射区电池主体材料禁带宽度差不小于0.50eV，500‑900nm波长范围内光学折射率差不高于0.25。本发明提供的多结太阳电池，通过使用低光学折射率差窗口层与发射区组合，降低入射太阳光在各子电池窗口层的反射，提升各子电池的电流密度，从而显著改善多结太阳电池的性能。
技术研发人员：李欣益;陆宏波;张玮;杨丞;张梦炎;张华辉;陈杰;郑奕;张建琴
受保护的技术使用者：上海空间电源研究所
文档号码：201610802693
技术研发日：2016.09.05
技术公布日：2016.12.07