1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
有机发光二极管，形成在所述基底的上面，并包括第一电极、形成在所述第一电极的上面的第二电极和置于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层；
像素限定层，形成在所述基底的上面并与所述有机发光二极管相邻；
保护层，形成在所述第二电极的上面并被构造为保护所述有机发光二极管；以及
薄膜包封层，形成在所述保护层的上面并密封所述有机发光二极管，以保护所述有机发光二极管免受环境影响，
其中，所述薄膜包封层的至少一部分接触所述像素限定层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一电极形成在邻近的像素限定层之间，其中，所述中间层形成在所述第一电极的上面，其中，所述第二电极和所述保护层形成在所述中间层和所述像素限定层的上面。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述保护层由LiF形成。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二电极和所述保护层具有形成在所述像素限定层上面的第一开口，所述第一开口与所述薄膜包封层的与所述像素限定层接触的至少一部分叠置。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层包括：
无机层；以及
有机层，形成在所述无机层的上面，
其中，所述无机层在所述第一开口处接触所述像素限定层。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层包括交替堆叠的多个无机层和多个有机层。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
薄膜晶体管，形成在所述基底的上面，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；
栅极绝缘层，形成在所述有源层与所述栅电极之间；
层间绝缘层，形成在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间；以及
通路层，形成在所述源电极和所述漏电极的上面。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，所述基底包括被构造为弯曲的弯曲部分，其中，所述层间绝缘层和所述通路层具有形成在所述弯曲部分上面的第二开口。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层在所述第二开口处接触所述栅极绝缘层。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层在所述第二开口处与所述层间绝缘层和所述通路层的侧表面接触。
11.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层包括无机层和形成在所述无机层上面的有机层，其中，所述无机层在所述第二开口处接触所述栅极绝缘层。
12.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
设置基底；
在所述基底的上面形成薄膜晶体管和通路层；
在所述通路层的上面形成像素限定层；
在所述通路层的上面形成有机发光二极管；
在所述有机发光二极管的上面形成保护层，以覆盖所述像素限定层；以及
形成密封所述有机发光二极管和所述保护层的薄膜包封层，以保护所述有机发光二极管免受环境影响，
其中，形成所述有机发光二极管的步骤包括：
在邻近的像素限定层之间形成第一电极；
在所述第一电极的上面形成中间层；以及
在所述中间层和所述像素限定层的上面形成第二电极，
其中，图案化形成所述第二电极和所述保护层，使得去除所述第二电极和所述保护层的与所述像素限定层接触的至少一部分，并在所述第二电极和所述保护层中形成第一开口。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述保护层由LiF形成。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述薄膜包封层在所述第一开口处接触所述像素限定层。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述薄膜包封层的步骤包括：
在所述保护层的上面形成无机层；以及
在所述无机层的上面形成有机层，
其中，所述无机层在所述第一开口处接触所述像素限定层。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述基底包括被构造为弯曲的弯曲部分，
其中，所述方法还包括：
在设置所述基底的步骤之后，在所述基底的上面形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层的上面形成层间绝缘层；以及
在所述层间绝缘层的上面形成所述通路层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，将所述层间绝缘层和所述通路层图案化形成为在所述弯曲部分处被部分地去除，使得在所述层间绝缘层和所述通路层中形成第二开口。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述薄膜包封层在所述第二开口处接触所述栅极绝缘层。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述薄膜包封层在所述第二开口处与所述层间绝缘层和所述通路层的侧表面接触。
20.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
多个有机发光二极管，形成在所述基底的上面；
像素限定层，置于所述有机发光二极管之间；
薄膜包封层，形成在所述像素限定层的上面并密封所述有机发光二极管，以保护所述有机发光二极管免受环境影响，
其中，所述薄膜包封层通过多个开口接触所述像素限定层。