1.一种设备，包括：
阻断电压结构，所述阻断电压结构包括：
第一终端；
第二终端，其中所述阻断电压结构被配置为在所述第二终端和所述第一终端之间提供电压阻断；
第三终端；以及
集成保护结构，所述集成保护结构包括：
硅控整流器，所述硅控整流器电连接在所述第一终端和所述第二终端之间，其中所述硅控整流器被配置为当所述第二终端的电压相对于所述第一终端的电压增大时，保护所述阻断电压结构免受过压；以及
双向硅控整流器，所述双向硅控整流器电连接在所述第三终端和所述第二终端之间，其中所述双向硅控整流器被配置为当所述第三终端的电压相对于所述第二终端的所述电压增大时，保护所述阻断电压结构免受过压，以及其中所述双向硅控整流器还被配置为当所述第二终端的所述电压相对于所述第三终端的所述电压增大时，保护所述阻断电压结构免受过压。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述阻断电压结构包括阻断电压二极管。
3.根据权利要求1所述的设备，还包括：
电连接到所述第一终端的焊盘；
接口控制电路；以及
n型双扩散金属氧化物半导体(NDMOS)晶体管，包括电连接至第一电源的源极和体区、电连接至所述接口控制电路的输出的栅极以及电连接至所述第二终端的漏极。
4.根据权利要求1所述的设备，还包括：
焊盘；
接口控制电路；
p型双扩散金属氧化物半导体(PDMOS)晶体管，包括电连接至第二终端的源极和体区、电连接至所述接口控制电路的输出的栅极以及电连接至所述焊盘的漏极。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述集成保护结构还包括：
第一PNP双极型晶体管，包括电连接至所述第二终端的发射极、基极以及集电极；
第一NPN双极型晶体管，包括电连接至所述第一终端的发射极、电连接至所述第一PNP双极型晶体管的所述集电极的基极以及电连接至所述第一PNP双极型晶体管的所述基极的集电极；
第二NPN双极型晶体管，包括电连接至所述第三终端的发射极、基极以及集电极；以及
双向PNP双极型晶体管，包括电连接至所述第二NPN双极型晶体管的基极的发射极/集电极、电连接至所述第一NPN双极型晶体管的基极的集电极/发射极以及电连接至第一NPN双极型晶体管和第二NPN双极型晶体管的集电极的基极，
其中所述第一PNP双极型晶体管和所述第一NPN双极型晶体管被配置成操作作为硅控整流器，以及
其中所述第一NPN双极型晶体管、所述双向PNP双极型晶体管和所述第二NPN双极型晶体管被配置成操作作为双向硅控整流器。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述阻断电压结构还包括：
第一p型阱，所述第一p型阱包括电连接至所述第一终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；
第一n型阱，所述第一n型阱包括电连接至所述第二终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；以及
第二p型阱，所述第二p型阱包括电连接至所述第三终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；以及
处于所述第一p型阱、所述第一n型阱以及所述第二p型阱的至少一部分下方的n型隔离层。
7.根据权利要求6所述的设备，
其中所述第一n型阱的所述至少一个p型有源区、所述第一n型阱、所述第一p型阱以及所述第一p型阱的所述至少一个n型有源区被配置成操作作为硅控整流器，以及
其中所述第一p型阱的所述至少一个n型有源区、所述第一p型阱、所述n型隔离层、所述第二p型阱和所述第二p型阱的所述至少一个n型有源区被配置成操作作为双向硅控整流器。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述阻断电压结构包括阻断电压二极管，其中所述第一p型阱和所述第一n型阱被配置成操作作为所述阻断电压二极管。
9.根据权利要求6所述的设备，其中所述阻断电压结构布置在p型衬底中，其中所述第三终端被配置为当在所述第一终端和所述第二终端之间接收到静电放电事件或电磁干扰事件时，收集注入到所述p型衬底的载流子。
10.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一n型阱被配置成围绕所述第一p型阱，而且其中所述第二p型阱被配置成围绕所述第一n型阱。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述阻断电压结构还包括第二n型阱，所述第二n型阱被配置为围绕所述第二p型阱，其中所述n型隔离层延伸至所述第一p型阱、所述第一n型阱、所述第二p型阱以及所述第二n型阱的至少一部分下方。
12.根据权利要求10所述的设备，其中所述阻断电压结构还包括第一浅n型区域和第二浅n型区域，其中所述第一浅n型区域布置在所述第一n型阱中并处于所述第一p型阱与所述第一n型阱的所述至少一个n型有源区之间，而且其中所述第二浅n型区域布置在所述第一n型阱中并处于所述第二p型阱与所述第一n型阱的所述至少一个n型有源区之间。
13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一p型阱的所述至少一个n型有源区包括第一n型有源区和第二n型有源区，而且其中所述第一p型阱的所述至少一个p型有源区包括布置在所述第一n型有源区和第二n型有源区之间的第一p型有源区。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一n型阱的所述至少一个n型有源区包括第三n型有源区和第四n型有源区，而且其中所述第一n型阱的所述至少一个p型有源区包括布置在所述第三n型有源区和第四n型有源区之间的第二p型有源区。
15.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一p型阱的所述至少一个p型有源区包括第一p型有源区和第二p型有源区，而且其中所述第一p型阱的所述至少一个n型有源区包括布置在所述第一p型有源区和第二p型有源区之间的第一n型有源区。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一n型阱的所述至少一个p型有源区包括第三p型有源区和第四p型有源区，而且其中所述第一n型阱的所述至少一个n型有源区包括布置在所述第三p型有源区和第四p型有源区之间的第二n型有源区。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第二p型阱的所述至少一个p型有源区包括第五p型有源区和第六p型有源区，而且其中所述第二p型阱的所述至少一个n型有源区包括布置在所述第五p型有源区和第六p型有源区之间的第三n型有源区。
18.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一终端包括阳极终端，所述第二终端包括阴极终端以及所述第三终端包括地终端。
19.一种设备，包括：
阻断电压结构，所述阻断电压结构包括：
第一终端；
第二终端，其中所述阻断电压结构被配置为在所述第二终端和所述第一终端之间提供电压阻断；
第三终端；以及
集成保护结构，所述集成保护结构包括：
用于当所述第二终端的电压相对于所述第一终端的电压增大时保护所述阻断电压结构免受过压的装置；以及
用于当所述第三终端的电压相对于所述第二终端的所述电压增大时保护所述阻断电压结构免受过压，并且当所述第二终端的所述电压相对于所述第三终端的所述电压增大时保护所述阻断电压结构免受过压的装置。
20.一种集成电路，包括：
阻断电压结构，所述阻断电压结构包括：
第一p型阱，所述第一p型阱包括电连接至第一终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；
第一n型阱，所述第一n型阱包括电连接至第二终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；
第二p型阱，所述第二p型阱包括电连接至第三终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区；
处于所述第一p型阱、所述第二n型阱以及所述第二p型阱的至少一部分下方的n型隔离层；以及
集成保护结构，所述集成保护结构包括：
硅控整流器，所述硅控整流器与所述第一n型阱的所述至少一个p型有源区、所述第一n型阱、所述第一p型阱以及所述第一p型阱的所述至少一个n型有源区相关联；以及
双向硅控整流器，所述双向硅控整流器与所述第一p型阱的所述至少一个n型有源区、所述第一p型阱、所述n型隔离层、所述第二p型阱以及所述第二p型阱的所述至少一个n型有源区相关联。
21.根据权利要求20所述的集成电路，其中所述阻断电压结构包括阻断电压二极管。