技术总结
本公开涉及具有集成保护结构的结隔离阻断电压装置及其形成方法。提供了结隔离阻断电压装置及其形成方法。在具体实施方式中，阻断电压装置包括电连接至第一p阱的阳极终端、电连接至第一n阱的阴极终端、电连接至第二p阱的接地终端、以及用于隔离第一p阱和p型衬底的n型隔离层。第一p阱和第一n阱操作作为阻塞二极管。阻断电压装置还包括与第一n阱中形成的P+区域、第一n阱、第一p阱和第一p阱中形成的N+区域相关的PNPN硅控整流器(SCR)。此外，阻断电压装置还包括与第一p阱中形成的N+区域、第一p阱、n型隔离层、第二p阱以及第二p阱中形成的N+区域相关的NPNPN双向SCR。
技术研发人员：D·J·克拉克;J·A·塞尔瑟多;B·B·莫阿尼;罗娟;S·穆奈尼;K·K·赫弗南;J·特沃米伊;S·D·赫弗南;G·P·考斯格拉维
受保护的技术使用者：美国亚德诺半导体公司
文档号码：201610827351
技术研发日：2013.11.19
技术公布日：2017.01.04