1.一种双层电极LED芯片的制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底任意一表面形成发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明电极导电层，位于所述透明电极导电层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘，所述第一电极和第二电极统称为第一层电极；
在所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧形成第二层电极，所述第二层电极将第一层电极完全包覆，其中所述第二层电极的电极电位高于所述第一层电极的电极电位；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二层电极、且延伸覆盖至所述透明电极导电层和第一半导体层。
2.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述透明电极导电层是采用磁控溅射或电子束蒸工艺在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成透明电极导电层。
3.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一电极或第二电极是采用电子束蒸镀、磁控溅射、电镀或化学镀工艺在所述在第一半导体层的预设区域、且背离衬底一侧形成第一电极，且在导电反射膜层背离衬底一侧形成第二电极。
4.根据权利要求3所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一层电极采用Cr、Al、Ti、Ni、Mg、Sn、Co等一种或者几种金属形成。
5.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二层电极采用Pt、Pd、Au等一种或者几种金属形成。
6.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层是采用等离子体增强化学气相工艺在所述第二层电极背离所述透明电极导电层一侧沉积形成。
7.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层对应所述第二层电极的预设区域设置有第一开口和第二开口，以用于连接第一电极和第二电极。
8.一种双层电极LED芯片，其特征在于，所述双层电极LED芯片采用权利要求1~7任意一项所述的制作方法制作而成。