1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元；
所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述像素单元的像素电极电连接；所述薄膜晶体管的有源层具有至少一个沟道区；至少一个所述沟道区包括第一子沟道区和至少一个第二子沟道区；其中，
沿与所述沟道区的延伸方向垂直的方向，所述第一子沟道区具有第一宽度，所述第二子沟道区具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；
各所述第二子沟道区在所述沟道区延伸方向上的长度与所述第一宽度的比值大于0.25，且小于2。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二宽度与所述第一宽度的比值小于或等于0.6。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一宽度的取值范围为2-4微米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿与所述沟道区的延伸方向垂直的方向，所述薄膜晶体管的有源层的非沟道区具有第一宽度。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子沟道区与所述第二子沟道区相连接。
6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子沟道区与所述第二子沟道区之间具有第三子沟道区；
沿所述沟道区的延伸方向，所述第三子沟道区沿与所述沟道区的延伸方向垂直方向的宽度由第一宽度渐变为第二宽度；其中，所述第三子沟道区具有第一宽度的一侧与所述第一子沟道区连接，具有第二宽度的一侧与所述第二子沟道区连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层具有第一沟道区和第二沟道区；
在所述第一沟道区的延伸方向上，所述第一沟道区具有至少一个第二子沟道区；
在所述第二沟道区的延伸方向上，所述第二沟道区具有至少一个第二子沟道区。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括遮光层，所述遮光层位于所述薄膜晶体管临近所述基板的一侧，所述遮光层在所述基板的垂直投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述基板的垂直投影。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构，所述薄膜晶体管的沟道区位于所述栅极朝向所述基板的一侧。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，还包括：
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；
所述彩膜基板上设置有黑矩阵，所述薄膜晶体管在所述彩膜基板的垂直投影位于所述黑矩阵内。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的画面刷新频率0.5hz-45hz。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11-13任一项所述的显示面板。