一种适用于制作发光二极管的石墨基座的制作方法

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种适用于制作发光二极管的石墨基座。

背景技术：

半导体发光二极管(英文：Light Emitting Diodes，简称LED)具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用，尤其是利用大功率LED可能实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。

LED在制作过程中通常放置在石墨基座上。石墨基座是采用高纯石墨作基材，上面镀有一层SiC涂层的圆盘。圆盘上设有多个凹槽，多个LED分别悬空放置在不同的凹槽内。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

制作LED时，石墨基座会不断转动，加热丝提供的热能通过石墨基座传导到凹槽内的LED。在离心力的作用下，LED的侧面会紧贴凹槽内靠近石墨基座的边缘的侧壁，LED与石墨基座接触的侧面温度明显高于其它侧面温度，影响LED的均匀性和边缘良率。

技术实现要素：

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种适用于制作发光二极管的石墨基座。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种适用于制作发光二极管的石墨基座，所述石墨基座呈圆盘状，所述石墨基座上设有若干凹槽，所述凹槽的侧壁上设有用于将所述发光二极管悬空放置在所述凹槽内的若干凸块，所述凸块包括沿所述凹槽的延伸方向依次设置的第一台阶、第二台阶和第三台阶，所有所述第一台阶所围区域的面积大于所有所述第二台阶所围区域的面积，所有所述第二台阶所围区域的面积大于所述发光二极管的尺寸，所有所述第三台阶所围区域的面积小于所述发光二极管的尺寸。

可选地，所有所述第一台阶所围区域的面积沿所述凹槽的延伸方向逐渐减小，所有所述第二台阶所围区域的面积沿所述凹槽的延伸方向逐渐增大，所有所述第三台阶所围区域的面积保持不变。

可选地，所述第一台阶的宽度沿所述凹槽的延伸方向逐渐减小，所述第二台阶的宽度沿所述凹槽的延伸方向逐渐减小，所述第三台阶的宽度保持不变。

优选地，所述第一台阶的平均宽度大于所述第二台阶的平均宽度，所述第二台阶的平均宽度大于所述第三台阶的宽度。

可选地，所述第一台阶垂直于宽度方向的长度与所述第二台阶垂直于宽度方向的长度的比值为1:1～1：100。

优选地，所述第二台阶垂直于宽度方向的长度为所述第一台阶垂直于宽度方向的长度的6～10倍。

可选地，所述第一台阶的高度为所述第二台阶的高度的50～55倍。

可选地，所述凹槽的横截面为圆形，同一个所述凹槽内设置的所有所述凸块均匀分布在所述圆形的边缘。

优选地，所有所述凹槽的圆心连成与所述圆盘的圆心同心的内圆环和外圆环，所述外圆环的直径大于所述内圆环的直径。

更优选地，分布在所述外圆环上的所述凹槽的数量大于分布在所述内圆环上的所述凹槽的数量。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过沿凹槽的延伸方向依次设置第一台阶、第二台阶和第三台阶，所有第一台阶所围区域的面积大于所有第二台阶所围区域的面积，所有第二台阶所围区域的面积大于发光二极管的尺寸，所有第三台阶所围区域的面积小于发光二极管的尺寸，发光二极管搁置在第三台阶上，第一台阶和第二台阶同时将发光二极管限制在凹槽内，同时由于所有第一台阶所围区域的面积大于所有第二台阶所围区域的面积，发光二极管在离心力的作用下只与第二台阶紧贴，减小了发光二极管与石墨基座接触的侧面面积，有效避免温度不均匀，提高了发光二极管的均匀性和边缘良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的石墨基座的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的凹槽的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的图2中凸块A-A方向的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的图2中凸块B向的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的图4中凸块C处的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

实施例

本发明实施例提供了一种适用于制作发光二极管的石墨基座，参见图1和图2，石墨基座10呈圆盘状，石墨基座10上设有若干凹槽20，凹槽20的侧壁上设有用于将发光二极管悬空放置在凹槽20内的若干凸块30，参见图3和图4，凸块30包括沿凹槽的延伸方向依次设置的第一台阶31、第二台阶32和第三台阶33，所有第一台阶31所围区域41的面积大于所有第二台阶32所围区域42的面积，所有第二台阶32所围区域42的面积大于发光二极管的尺寸，所有第三台阶33所围区域43的面积小于发光二极管的尺寸。

可选地，参见图3，所有第一台阶31所围区域41的面积可以沿凹槽20的延伸方向逐渐减小，所有第二台阶32所围区域42的面积可以沿凹槽20的延伸方向逐渐增大，所有第三台阶33所围区域43的面积可以保持不变。

具体地，所有第一台阶31所围区域41的最大面积可以为直径100.85mm～101.15mm的圆形，所有第二台阶32所围区域42的最大面积可以为直径100.55～100.85mm的圆形，所有第三台阶33所围区域43的面积可以为直径98.55～98.85mm的圆形。

可选地，参见图4和图5，第一台阶31的宽度可以沿凹槽20的延伸方向逐渐减小，第二台阶32的宽度可以沿凹槽20的延伸方向逐渐减小，第三台阶33的宽度可以保持不变。

优选地，参见图4和图5，第一台阶31的平均宽度可以大于第二台阶32的平均宽度，第二台阶32的平均宽度可以大于第三台阶33的宽度。

具体地，第一台阶31的侧边可以为直径3.18mm的圆环边缘，第二台阶32的侧边可以为直径3mm的圆环边缘，第三台阶33的宽度可以为5mm。

可选地，第一台阶31垂直于宽度方向的长度与第二台阶32垂直于宽度方向的长度的比值可以为1:1～1：100。

优选地，第二台阶32垂直于宽度方向的长度可以为第一台阶31垂直于宽度方向的长度的6～10倍。

可选地，第一台阶31的高度可以为第二台阶32的高度的50～55倍。

具体地，第一台阶31的高度可以为0.03mm，第二台阶32的高度可以为0.68～0.76mm。

可选地，凹槽20的横截面可以为圆形，同一个凹槽20内设置的所有凸块30可以均匀分布在圆形的边缘。

优选地，参见图1，所有凹槽20的圆心可以连成与圆盘的圆心同心的内圆环51和外圆环52，外圆环52的直径大于内圆环51的直径。

更优选地，分布在外圆环52上的凹槽20的数量可以大于分布在内圆环51上的凹槽20的数量。

具体地，参见图1，分布在外圆环52上的凹槽20的数量可以为10个，分布在内圆环51上的凹槽20的数量可以为4个。

进一步地，参见图1，分布在外圆环52上的凹槽20可以均匀分布在外圆环52上，分布在内圆环51上的凹槽20可以均匀分布在内圆环51上。

本发明实施例通过沿凹槽的延伸方向依次设置第一台阶、第二台阶和第三台阶，所有第一台阶所围区域的面积大于所有第二台阶所围区域的面积，所有第二台阶所围区域的面积大于发光二极管的尺寸，所有第三台阶所围区域的面积小于发光二极管的尺寸，发光二极管搁置在第三台阶上，第一台阶和第二台阶同时将发光二极管限制在凹槽内，同时由于所有第一台阶所围区域的面积大于所有第二台阶所围区域的面积，发光二极管在离心力的作用下只与第二台阶紧贴，减小了发光二极管与石墨基座接触的侧面面积，有效避免温度不均匀，提高了发光二极管的均匀性和边缘良率。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。