1.一种基于标准CMOS工艺的混合光互连系统，包括基底(1)，其特征在于，所述基底(1)的上表面上设置有二氧化硅体(6)，所述二氧化硅体(6)内位于上部设置有用于反射光的金属层(5)，所述二氧化硅体(6)内且在基底(1)的上表面上由下至上依次设置有起隔离作用的栅氧层(3)和用于发光的多晶硅LED(4)，所述的基底(1)内临近上表面且位于栅氧层(3)和多晶硅LED(4)的一侧设置有用于接收从所述金属层(5)所反射的光的单晶硅PD(2)。
2.根据权利要求1所述的一种基于标准CMOS工艺的混合光互连系统，其特征在于，所述的多晶硅LED(4)包括有依次并排设置在所述栅氧层(3)上的多晶硅LED阴极(41)、多晶硅LED i区(42)和多晶硅LED阳极(43)，所述多晶硅LED阴极(41)通过贯穿所述金属层(5)的多晶硅LED阴极接触孔(46)连接多晶硅LED阴极外接导线(44)，所述多晶硅LED阳极(43)通过贯穿所述金属层(5)的多晶硅LED阳极接触孔(47)连接多晶硅LED阳极外接导线(45)。
3.根据权利要求1所述的一种基于标准CMOS工艺的混合光互连系统，其特征在于，所述的单晶硅PD(2)包括有N阱(21)和分别嵌入在所述N阱(21)内的单晶硅PD阴极(22)和单晶硅PD阳极(23)，所述单晶硅PD阴极(22)通过贯穿所述金属层(5)的单晶硅PD阴极接触孔(26)连接单晶硅PD阴极外接导线(24)，所述单晶硅PD阳极(23)通过贯穿所述金属层(5)的单晶硅PD阳极接触孔(27)连接单晶硅PD阳极外接导线(25)。