技术总结
本发明公开基于AlN模板的发光二极管衬底外延生长的方法，包括：处理衬底、生长AlxGa(1‑x)N层、生长AlyGa(1‑y)N层、生长SivAlzGa(1‑z‑v)N层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长Inx1Ga(1‑x1)N/GaN发光层，其中，x1＝0.20‑0.25，生长P型AlGaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却。本发明使得外延生长简单化，提升了LED的生产效率。
技术研发人员：张宇
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
文档号码：201610940432
技术研发日：2016.11.01
技术公布日：2017.01.11