1.一种高亮度发光二极管芯片，所述高亮度发光二极管芯片包括反光层、基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电子阻挡层、透明导电层、钝化保护层、以及P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述发光层、所述P型半导体层依次层叠在所述基板的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述电子阻挡层设置在所述P型半导体层上，所述透明导电层设置在所述电子阻挡层和所述P型半导体层上，所述P型电极设置在所述透明导电层上，所述N型电极设置在所述N型半导体层上，所述反光层设置在所述基板的第二表面上，所述基板的第二表面为与所述基板的第一表面相反的表面，其特征在于，所述钝化保护层包括沉积在所述透明导电层和所述N型半导体层上的第一子层、以及沉积在所述凹槽的侧壁上的第二子层，所述第二子层沉积的厚度大于所述第一子层沉积的厚度。
2.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述第一子层沉积的厚度为200～400埃，所述第二子层沉积的厚度为2300～2500埃。
3.根据权利要求1或2所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述反光层包括多个依次层叠的反光子层，所述反光子层包括依次层叠的至少两种折射率不同的氧化层，所述反光子层的厚度为所述发光层的发射主波长的四分之一。
4.根据权利要求3所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述氧化层采用Ta2O5、ZrO2、Al2O3、TiO2、SiO2中的任一种。
5.根据权利要求3所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述反光子层的层数为2～40层。
6.根据权利要求1或2所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述透明导电层采用氧化铟锡或者ZnO。
7.一种高亮度发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在基板的第一表面上依次生长N型半导体层、发光层、P型半导体层；
在所述P型半导体层上形成延伸至所述N型半导体层的凹槽；
在所述P型半导体层上形成电子阻挡层；
在所述电子阻挡层和所述P型半导体层上形成透明导电层；
在所述透明导电层上设置P型电极，在所述N型半导体层上设置N型电极；
在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型半导体层上沉积钝化保护层；
对所述基板的第二表面进行减薄和研磨，所述基板的第二表面为与所述基板的第一表面相反的表面；
在研磨后的所述基板的第二表面上形成反光层，得到半成品；
对所述半成品进行划裂和测试，得到发光二极管芯片；
其中，所述钝化保护层包括沉积在所述透明导电层和所述N型半导体层上的第一子层、以及沉积在所述凹槽的侧壁上的第二子层，所述第二子层沉积的厚度大于所述第一子层沉积的厚度。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型半导体层上沉积钝化保护层，包括：
在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型半导体层上沉积所述第二子层；
采用光刻工艺和刻蚀工艺去除所述透明导电层和所述N型半导体层上沉积的所述第二子层；
在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型半导体层上沉积所述第一子层；
采用光刻工艺和刻蚀工艺去除所述P型电极所在的区域、所述N型电极所在的区域、以及所述凹槽的侧壁上沉积的所述第一子层。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层沉积的厚度为200～400埃，所述第二子层沉积的厚度为2300～2500埃。
10.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述反光层包括多个依次层叠的反光子层，所述反光子层包括依次层叠的至少两种折射率不同的氧化层，所述反光子层的厚度为所述发光层的发射主波长的四分之一。