1.一种提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，其特征在于，在腐蚀槽外绕线圈，并给线圈通交流电。
2.根据权利要求1所述的提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，其特征在于，腐蚀槽放在线圈正中央，硅片的腐蚀中心在线圈内部中轴线上。
3.根据权利要求1或2所述的提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，其特征在于，腐蚀槽的外径为60毫米，线圈的直径为1毫米，相邻线圈间距为0.1毫米，线圈绕的总圈数为182。
4.根据权利要求3所述的提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，其特征在于，线圈中所加电流I为三角波，幅度为0.1-5A，频率为5-500KHz。