技术总结
本发明提供了一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法，即在碳化硅器件离子注入激活前旋涂光敏抗蚀剂，对旋涂在碳化硅正反面的光敏抗蚀剂进行快速热退火，热分解后形成均匀碳膜；高温退火激活过程中，碳膜抑制碳化硅器件表层的碳化硅材料分解；退火激活后，通过热氧化彻底去除碳膜。本发明可以有效地保护碳化硅器件表面，降低高温退火引起碳化硅器件表面粗糙度，显著增加碳化硅离子注入激活工艺的效率。
技术研发人员：向安;李俊焘;代刚;徐星亮;肖承全;张林;周阳;杨英坤;张龙
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院电子工程研究所
文档号码：201611011362
技术研发日：2016.11.17
技术公布日：2017.05.10