一种LED外延片的制备方法与流程

技术总结
本发明公开了一种LED外延片的制备方法，该方法可以进一步减少发光面积损失，增加补充层提高量子阱的生长质量，提高反向电压，降低器件内部漏电的同时，还利用In组分渐变的斜阱层，改变阱的禁带宽度，以俘获更多的电子和空穴，增大了电子与空穴的接触面积，提高发光面积，降低电子的运行速度，增大与空穴的接触的有效电子数。

技术研发人员：梁沛明
受保护的技术使用者：广东泓睿科技有限公司
文档号码：201611042657
技术研发日：2016.11.24
技术公布日：2017.05.10