1.一种ESD保护的电路，其特征在于，包括：电容C0、电阻R0、MP0、MP1、MP2、MN0、MN1和MN2；
电容C0和电阻R0串联；其中，电容C0，用于在接收到ESD脉冲时，产生充电电流；电阻R0，用于在接收放电电流时产生压降，控制MP1和MP2开启；
MP1的漏极与MN0的漏极相连，用于生成输出电压Vb1；其中，输出电压Vb1输出至MN2的栅极；MP2的漏极和MP0的源极相连，用于生成偏置电压Vb2；其中，偏置电压Vb2输出至MN1的栅极；
MN1的源极和MN2的漏极相连；其中，MN1，用于在接收的偏置电压Vb2为高电平时开启，泄放电流；MN2，用于在收到的输出电压Vb1为高电平时开启，泄放电流；
其中，所述ESD保护的电路，还包括：偏置电路VBIAS；
所述偏置电路VBIAS，用于输出偏置电压Vb0；其中，所述偏置电压Vb0分别输出至MN0的栅极和MP0的栅极；
其中，电容C0和电阻R0的连接点分别与MP1的栅极和MP2的栅极连接，用于为MP1和MP2提供栅压，以及，为MP2提供栅压偏置。
2.一种如权利要求1所述的ESD保护的电路的ESD保护的方法，其特征在于，包括：
当电容C0接收到ESD脉冲时，产生充电电流，电阻R0上产生压降，控制第二PMOS晶体管MP1和第三PMOS晶体管MP2开启；
当通过第二PMOS晶体管MP1和第一NMOS晶体管MN0输出的输出电压Vb1为高电平，且，通过第三PMOS晶体管MP2和第一PMOS晶体管MP0输出的偏置电压Vb2为高电平时，开启第三NMOS晶体管MN2和第二NMOS晶体管MN1,泄放电流。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当电容C0上的ESD脉冲消失时，电阻R0上的压降减小，控制MP1和MP2关断；
当通过MP1和MN0输出的输出电压Vb1为低电平，且，通过MP2和MP0输出的偏置电压Vb2为低电平时，关断MN1和MN2。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当电容C0无充放电电流时，电阻R0上无压降，控制MP1关断。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，电阻R0和电容C0的连接点分别与MP1的栅极和MP2的栅极连接，所述方法还包括：
通过所述连接点为MP1和MP2提供栅压，以及，为MP2提供栅压偏置；其中，所述栅压用于控制MP1的开启和关断。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过偏置电路VBIAS分别向MN0的栅极和MP0的栅极输出偏置电压Vb0。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
偏置电压Vb2大于等于电源电压VDD与额定电压的差值；其中，所述额定电压为：MN1的栅-漏反偏电压上限。