超结MOS管的制造方法与流程

本发明涉及一种超结MOS管的制造方法。

背景技术：

传统的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管)的耐压和导通电阻是一组平衡，当耐压要求较高时，需要衬底的电阻率更低，但是较低的电阻率会导致较高的导通电阻。为了改善此平衡，可以使用超结型结构，使得在提高耐压的同时降低导通电阻。超结型结构是由p型掺杂的柱状区域和n型掺杂的柱状区域组成，当p型掺杂区域的电荷数量同n型掺杂区域的电荷数量相当，达到平衡时，超结效果最佳，其耐压与导通电阻的平衡关系最优。

当传统的超结MOSFET通过较高电流密度或者发生雪崩时，原本的电荷平衡会被破坏，多余的电荷会引起局部的电场升高，而电场升高会引发更多的雪崩电流，使得电荷的不平衡态进一步恶化，从而形成负反馈。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术的超结型MOS管中通过较高电流密度或发生雪崩时导致电荷平衡恶化而形成负反馈的缺陷，提出了一种超结MOS管的制造方法。

一种超结MOS管的制造方法，包括以下步骤：

S1、制作超结MOS管的晶圆；

S2、对所述晶圆进行辐照；

S3、对所述晶圆进行退火。

较佳地，在步骤S2中，对所述晶圆采用第一辐照方式或者第二辐照方式进行辐照；

所述第一辐照方式包括He辐照方式、质子辐照方式或者H辐照方式；

所述第二辐照方式包括电子辐照方式。

较佳地，所述超结MOS管的晶圆包括P-body区域和漏端，对所述晶圆进行辐照时，所述超结MOS管的晶圆的辐照区域为P-body区域至所述漏端之间。

较佳地，所述第一辐照方式或者所述第二辐照方式的辐照计量范围为1×10¹⁰cm^-3～1×10¹³cm^-3，所述第一辐照方式或所述第二辐照方式的辐照能量范围为500KeV～10MeV。

较佳地，在步骤S3中，在对所述晶圆进行退火时，所述退火温度为300度至500度，所述退火时间在0.5h～3h；

在进行退火时，采用的气体为氮气、氢气、氮气和氢气的混合气体或者空气。

在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。

本发明的积极进步效果在于：本发明的超结MOS管的制造方法，可以降低电流对电荷平衡态的影响，使所述超结MOS管具有更好的稳定性和可靠性。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例的超结MOS管的制造方法的流程图。

图2为本发明一较佳实施例的超结MOS管的结构示意图。

具体实施方式

下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

如图1所示，一种超结MOS管的制造方法，包括以下步骤：

步骤101、制作超结MOS管的晶圆。超结MOS管的晶圆均是采用常规的工艺的步骤制作完成。

步骤102、对所述晶圆进行辐照。对所述晶圆进行辐照时可以采用第一辐照方式或者第二辐照方式对晶圆进行辐照，所述第一辐照方式包括He辐照方式、质子辐照方式或者H辐照方式，第二辐照方式包括电子辐照方式。在进行辐照时，所述第一辐照方式或者所述第二辐照方式的辐照计量范围为1×10¹⁰cm^-3～1×10¹³cm^-3，所述第一辐照方式或所述第二辐照方式的辐照能量范围为500KeV～10MeV。

步骤103、对所述晶圆进行退火。在对所述晶圆进行退火时，所述退火温度为300度至500度，所述退火时间在0.5h～3h，采用的气体为氮气、氢气、氮气和氢气的混合气体或者空气。

此外，如图2所示，所述超结MOS管的晶圆1包括P-body区域1、p型掺杂区2、n型掺杂区3和漏端4，对所述晶圆进行辐照时，所述超结MOS管的晶圆的辐照区域为P-body区域1至所述漏端4之间。除此之外，对晶圆进行辐照时，其辐照区域也可以是靠近超结区域的中部区域，也可以是靠近超结区域的顶部，但是在P-body区域以下。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。