超结MOS管的制造方法与流程

技术特征：

1.一种超结MOS管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制作超结MOS管的晶圆；

S2、对所述晶圆进行辐照；

S3、对所述晶圆进行退火。

2.如权利要求1所述的超结MOS管的制造方法，其特征在于，在步骤S2中，对所述晶圆采用第一辐照方式或者第二辐照方式进行辐照；

所述第一辐照方式包括He辐照方式、质子辐照方式或者H辐照方式；

所述第二辐照方式包括电子辐照方式。

3.如权利要求2所述的超结MOS管的制造方法，其特征在于，所述超结MOS管的晶圆包括P-body区域和漏端，对所述晶圆进行辐照时，所述超结MOS管的晶圆的辐照区域为P-body区域至所述漏端之间。

4.如权利要求2所述的超结MOS管的制造方法，其特征在于，所述第一辐照方式或者所述第二辐照方式的辐照计量范围为1×10¹⁰cm^-3～1×10¹³cm^-3，所述第一辐照方式或所述第二辐照方式的辐照能量范围为500KeV～10MeV。

5.如权利要求1所述的超结MOS管的制造方法，其特征在于，在步骤S3中，在对所述晶圆进行退火时，所述退火温度为300度至500度，所述退火时间在0.5h～3h；

在进行退火时，采用的气体为氮气、氢气、氮气和氢气的混合气体或者空气。