超结MOS管的制造方法与流程

技术总结
本发明公开了一种超结MOS管的制造方法，包括以下步骤：S1、制作超结MOS管的晶圆；S2、对所述晶圆进行辐照；S3、对所述晶圆进行退火。本发明的超结MOS管的制造方法，可以降低电流对电荷平衡态的影响，使所述超结MOS管具有更好的稳定性和可靠性。

技术研发人员：张栋
受保护的技术使用者：上海先进半导体制造股份有限公司
文档号码：201611070751
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.03.22