1.一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构，其特征在于，包括：由下到上顺序为半导体衬底，介质膜去胶停止层，多层复合膜层，硬掩模层，光刻胶层，其中，多层复合膜层是指不同刻蚀速率的光刻胶和膜层的组合，刻蚀速率慢的膜层和刻蚀速率快的光刻胶间隔重复叠加，刻蚀速率慢的膜层至少一层，并且在刻蚀速率快的光刻胶中间，根据多层复合膜层结构的不同膜质调整刻蚀参数，最终刻蚀停止在介质膜去胶停止层。
2.根据权利要求1所述的改善高深宽比光刻胶形貌的结构，其特征在于，所述的多层复合膜层的总厚度在5000-100000埃之间，所述的刻蚀速率慢的膜层厚度在50-1000埃之间。
3.根据权利要求2所述的改善高深宽比光刻胶形貌的结构，其特征在于，所述的刻蚀速率慢的膜层是指无定形碳、或氧化硅、或氮化硅，所述的无定形碳、或氧化硅、或氮化硅的厚度在50-1000埃之间。
4.根据权利要求1所述的改善高深宽比光刻胶形貌的结构，其特征在于，所述的硬掩模层为旋涂法涂覆的二氧化硅或者硅，或低温化学气相沉积的二氧化硅或者氮化硅，厚度在500-10000埃之间。
5.根据权利要求1所述的改善高深宽比光刻胶形貌的结构，其特征在于，所述的介质膜去胶停止层为氧化硅膜或者氮化硅膜，厚度为50-500埃之间。
6.一种利用如权利要求1～5所述的结构改善高深宽比光刻胶形貌的方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供一半导体硅衬底晶圆，在衬底上依次沉积介质膜去胶停止层、多层复合膜层、硬掩模层、光刻胶层，其中，多层复合膜层是指不同刻蚀速率的光刻胶和膜层的组合，刻蚀速率慢的膜层和刻蚀速率快的光刻胶间隔重复叠加，刻蚀速率慢的膜层至少一层，并且在刻蚀速率快的光刻胶中间；
步骤S02：进行光刻曝光和显影；
步骤S03：刻蚀硬掩模层；
步骤S04：刻蚀多层复合膜层，根据多层复合膜结构的不同膜质调整刻蚀参数，最终刻蚀停止在介质膜去胶停止层。
7.根据权利要求6所述的改善高深宽比光刻胶形貌的方法，其特征在于，步骤S04中，刻蚀多层复合膜层时，在不同膜质层的刻蚀切换步骤之间，增加形貌修复步骤。
8.根据权利要求7所述的改善高深宽比光刻胶形貌的方法，其特征在于，所述的形貌修复步骤是基于NF3的各向同性刻蚀条件，或基于C4F8或者C5F8的聚合物沉积条件，或基于O2或者SO2的聚合物去除条件。
9.根据权利要求6所述的改善高深宽比光刻胶形貌的方法，其特征在于，步骤S04中，刻蚀多层复合膜层时，在多层复合膜的不同膜质层转换时使用刻蚀终点系统判断刻蚀深度，在不同膜质的刻蚀使用不同刻蚀条件。
10.根据权利要求6所述的改善高深宽比光刻胶形貌的方法，其特征在于，步骤S03中，刻蚀硬掩模层选择CF系等离子刻蚀工艺，可以通过调整条件中的C/F比调节硬掩模层形貌来调节最终的关键尺寸；在步骤S02和步骤S03之间，增加光刻胶和硬掩模层高选择比刻蚀步骤来调整关键尺寸。