技术总结
本发明公开了一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构和方法。具体为通过对光刻胶涂布的结构和成分进行设计，改善高深宽比光刻胶形貌。在多层光刻胶结构中，通过最上层的光刻胶定义图形，通过第二层的硬掩模层转移图形，通过对第三层即多层复合膜层的结构与成分的设计，防止和减缓光刻胶成分在侧向被刻蚀的趋势，并通过形貌修复步骤进一步改善光刻胶形貌，最后形成良好形貌的高深宽比光刻胶图形。因此避免锥形或保龄球形等不良形貌的出现，可进一步改善器件的性能。
技术研发人员：刘鹏;胡伟玲;任昱;吕煜坤;张旭升
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201611077084
技术研发日：2016.11.30
技术公布日：2017.02.22