本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种GaAs‐pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，应用于高性能砷化镓半导体HEMT器件的制备技术。
背景技术：
Ⅲ‐Ⅴ化合物半导体材料相对硅材料而言，具有高载流子迁移率、大的禁带宽度等优点，而且在热学、光学和电磁学等方面都有很好的特性。GaAs‐pHEMT器件作为当前射频、微波领域常用的电子器件，是化合物半导体代工厂常见器件之一。在GaAs‐pHEMT的制作过程中，经常受到光刻胶等有机物的污染去除问题的困扰。现在常用的途径是采用干法刻蚀的工艺替代光刻胶掩膜湿法腐蚀工艺，但是干法刻蚀对设备的要求极高，成本高，工艺难度大。因此，需要不断改进GaAs‐PHEMT器件制备过程中的有机污染去除工艺，提高PMOS器件的成品率和一致性，以满足现有GaAs‐pHEMT制备技术的要求。
技术实现要素：
(一)要解决的技术问题
本发明的主要目的是提供一种GaAs‐pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，以实现以GaAs‐PHEMT器件制备过程中有机污染难以去除、或者去除不干净的问题，本发明提供的方法可以有效去除一些顽固污染，提高表面清洁度，满足现有高成品率GaAs‐pHEMT器件与电路制备技术的要求。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种GaAs-pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其过程详细是：(1)在制作好栅金属电极和源漏金属电极后的GaAs-PHEMT器件上进行表面有机清洗；(2)涂敷一层PMGI光刻胶，120度热板烘干；(3)将样品放在氮甲基苯络烷酮(NPA)去胶液中，在70度条件下去胶；(4)将样品放置在RIE中进行等离子体处理；(5)进行去离子水清洗并生长SiN薄膜钝化。
在本方案中，步骤1中的有机清洗为常规湿法清洗，采用丙酮、乙醇、异丙醇、去离子水进行各5分钟的超声清洗。
在本方案中，步骤2中涂覆的PMGI光刻胶的厚度为1微米，其主要作用是与有机污染物相黏合。
在本方案中，步骤2中涂覆的PMGI光刻胶进行烘干，烘干温度为120度，时间为3分钟。
在本方案中，步骤3中将样品放置在70度氮甲基苯络烷酮(NPA)去胶液中进行去胶，时间为60分钟。
在本方案中，步骤4中将样品放置在反应离子刻蚀机中进行氧气等离子体处理，条件是O2＝60sccm，N2＝20sccm，RF功率为20W，腔体压力0.7Par。
在本方案中，步骤5中采用PECVD的方法生长SiN介质，厚度为100纳米。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的一种GaAs‐pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，以实现以GaAs‐PHEMT器件制备过程中有机污染难以去除、或者去除不干净的问题。本发明提出的这一方法去除有机污染的基本原理是相似相容原理，采用PMGI胶与有机沾污进行融合，然后通过低温烘干的PMGI胶容易去除的基本原理，采用去胶液胶PMGI胶和有机污染一并去除。所以发明这种基于PMGI胶与有机污染融合的方法去除沾染的方法，以满足现有高成品率GaAs‐PHEMT器件制备工艺的要求。
附图说明
图1是本发明提供的一种GaAs‐pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法的流程图；
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图1，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，本实施例提供了一种GaAs-pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其过程详细是：(1)在制作好栅金属电极和源漏金属电极后的GaAs-PHEMT器件上进行表面有机清洗；(2)涂敷一层PMGI光刻胶，120度热板烘干；(3)将样品放在氮甲基苯络烷酮(NPA)去胶液中，在70度条件下去胶；(4)将样品放置在RIE中进行等离子体处理；(5)进行去离子水清洗并生长SiN薄膜钝化。
在本实施例中，步骤1中的有机清洗为常规湿法清洗，采用丙酮、乙醇、异丙醇、去离子水进行各5分钟的超声清洗。
在本实施例中，步骤2中涂覆的PMGI光刻胶的厚度为1微米，转速为3000rpm左右，其主要作用是与有机污染物相黏合。
在本实施例中，步骤2中涂覆的PMGI光刻胶进行烘干，烘干温度为120度，时间为3分钟。
在本实施例中，在步骤3中将样品放置在70度氮甲基苯络烷酮(NPA)去胶液中进行去胶，时间为60分钟。
在本实施例中，在步骤4中将样品放置在反应离子刻蚀机中进行氧气等离子体处理，条件是O2＝50sccm，N2＝20sccm，RF功率为20W，腔体压力0.7Par。
在本实施例中，步骤5中采用PECVD的方法生长SiN介质，其厚度为100纳米。