1.一种GaAs-pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其具体过程为：(1)在制作好栅金属电极和源漏金属电极后的GaAs-PHEMT器件上进行表面有机清洗；(2)涂敷一层PMGI光刻胶，120度热板烘干；(3)将样品放在氮甲基苯络烷酮(NPA)去胶液中，在70度条件下去胶；(4)将样品放置在RIE中进行等离子体处理；(5)进行去离子水清洗并生长SiN薄膜钝化。
2.根据权利要求1所示的一种GaAs-pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其特征在于：在步骤1中的有机清洗为常规湿法清洗，采用丙酮、乙醇、异丙醇、去离子水进行各5分钟的超声清洗。
3.根据权利要求1所述的一种GaAs-pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其特征在于：在步骤2中，涂覆的PMGI光刻胶的厚度为100纳米-3微米，其主要作用是与有机污染物相黏合。
4.根据权利要求1所述的一种GaAs-pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其特征在于：在步骤2中，涂覆的PMGI光刻胶进行烘干，烘干温度为120度，时间为2分钟至5分钟。
5.根据权利要求1所述的一种GaAs-pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其特征在于：在步骤3中，将样品放置在70度氮甲基苯络烷酮(NPA)去胶液中进行去胶，时间为30-60分钟。
6.根据权利要求1所述的一种GaAs-pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其特征在于：在步骤4中，将样品放置在反应离子刻蚀机中进行氧气等离子体处理，条件是O2＝50-60sccm，N2＝10-20sccm，RF功率为20W，腔体压力0.7Par。