一种提高清洗效率的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体集成电路制作领域，具体涉及一种提高清洗效率的方法，通过多步通入具有不同性质的反应气体，来提高的清洗效率。
【背景技术】
[0002]在半导体器件制备工艺中，器件元件的特征尺寸越来越小，因此，相应的半导体加工工艺的要求也越来越高。在超大规模集成电路中，经常需要在器件的表面制备一层薄膜，而现有技术中的很多类型的薄膜都是采用CVD方法制备，其主要的工艺步骤为:把含有构成薄膜离子的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在器件表面发生化学反应生成薄膜。利用CVD工艺沉积的薄膜层由于具有良好的致密性而具有多种用途，例如在CMOS器件制备中，可利用CVD工艺沉积一层氮化硅层来作为刻蚀的掩膜进而保护底部的衬底；同时还可利用CVD工艺来制备栅极的侧墙，因此CVD在集成电路的制作过程中扮演着举足轻重的地位，而对CVD设备的清洗也显得至关重要。
[0003]本领域技术人员在利用传统的CVD机台清洗工艺后，发现利用清洗后的CVD机台进行CVD工艺后，其制备出的wafer会有O?4%的良率损失，在进行进一步排查后发现，出现问题的wafer都是CVD在经过Auto Clean (自动清洗)后的第一片wafer,因此本领域技术人员怀疑由于对机台进行清洗后，腔室内气体中的刻蚀离子比例过高从而对wafer表面的硅或氧化层造成损伤，从而造成了良率的下降；但是由于clean的程式又要求将反应腔室内残余的杂质去除干净，因此需要保证腔室内刻蚀离子比例又不能过低，因此如何权衡清洗速率与产品良率为本领域技术人员研究的方向。
【发明内容】
[0004]本发明公开了一种提高机台清洗效率的方法，在提高清洗效率的同时，还提高了广品良率，具体的为:
[0005]一种提高机台清洗效率的方法，其中，包括以下步骤:
[0006]提供一机台，所述机台包括有一腔室；
[0007]在所述反应腔室内通入第一气体的同时，通入含氧等离子体；
[0008]通入惰性气体，以提升腔室内气体均匀性；
[0009]通入第二气体，并进行多次充气和抽气的循环处理；
[0010]通入NxHy气体。
[0011]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，所述机台为CVD机台。
[0012]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，所述第一气体为含F的刻蚀气体。
[0013]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，所述含F元素的刻蚀气体为CF4或NF3。
[0014]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，所述含氧等离子体为含O3的等离子体。
[0015]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，所述含O3等离子体为O3等离子体或O3和O2混合的等离子体。
[0016]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，采用如下方法通入所述含O等离子体:
[0017]在腔室外生成含O3的等离子体，然后将所述含O3的等离子体通入所述腔室；或
[0018]将含O3的气体直接通入腔室，并进行等离子处理，以在腔室内生成含O3的等离子体。
[0019]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，所述惰性气体为He气体。
[0020]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，所述第二气体为N2。
[0021]上述的提高机台清洗效率的方法，其中，所述NxHy气体为N2H2气体。
[0022]本发明通过通入含F的刻蚀气体的同时，还通入了含O3的等离子体，利用O3来与刻蚀气体反应生成含氧化合物，进而提升含F气体中F对C/N的比例，提升蚀刻速率从而提升清洗效率，最后通过N2H2来降低F在气体中的比例，进而减少F对产品wafer的影响，提升绝缘性，进而带来了产品良率的提升。
【附图说明】
[0023]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、夕卜形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
[0024]图1为本发明一种提高清洗方法的流程图。
【具体实施方式】
[0025]下面结合附图对本发明的【具体实施方式】作进一步的说明:
[0026]本发明提供了一种提高机台清洗效率的方法，如图1所示，具体步骤如下:
[0027]步骤S1:在反应腔室内同时通入第一气体和含O等离子体的混合气体，以对机台进行清洗。在本发明的实施例中，第一气体为含F的气体，具体可为CF4气体或NF3气体，含O等离子体为含O3的等离子体，具体的，该含O3的等离子体为O3等离子体或O3和O2混合的等离子体，因此，本发明通入含F的气体和含O等离子体的混合气体包含下列情况:①同时通入CF4气体和O3等离子体所共同组成的混合气体；②同时通入NF3气体和O3等离子体所共同组成的混合气体；③同时通入CF4气体以及O3和O2等离子体所共同组成的混合气体；④同时通入NF3气体以及O3和O2等离子体所共同组成的混合气体。
[0028]在本发明中，可采用如下方法来通入含O等离子体至腔室内:一种是在管道外直接产生含O3等离子体，然后通入到反应腔室内；另一种是先通入含O3的混合气体至腔室内，之后进行等离子(plasma)处理进而在腔室内产生含O3等离子体，本领域技术人员根据需求及生产的实际情况进行选择。
[0029]在此过程中，由于通入了含O3的等离子体，O3作为强氧化剂，其化学性质极为不稳定，在将含有O3的等离子体通入腔室内，由于O3的强氧化性极易与CF4或NF3反应生成含氧的化合物，进而提升刻蚀气体中F对C/N的比例，而F所占比例的提升，则意味着蚀刻速率的提升，从而提升了清洗效率，更快的将腔室内的颗粒及杂质薄膜进行刻蚀去除。例如，在通入CF4气体以及O3或O3和O2所组成的混合气体后，在反应炉内产生如下化学反应:
[0030]CF4+02 — F*