1.一种基于硒化铟/硅的光电探测器，其特征在于，该光电探测器自下而上依次具有底电极、n型硅基体和二氧化硅隔离层，所述的二氧化硅隔离层上开有硅窗口，使二氧化硅隔离层成回形结构，在二氧化硅隔离层的上表面覆盖顶电极，顶电极的边界小于二氧化硅隔离层的边界；在顶电极的上表面覆盖硒化铟薄膜，硒化铟薄膜分别与顶电极内侧壁、二氧化硅隔离层上表面、二氧化硅隔离层内侧壁和硅窗口的上表面接触；硒化铟薄膜与n型硅基体接触形成硒化铟/硅异质结。
2.根据权利要求1所述的一种基于硒化铟/硅的光电探测器，其特征在于，所述底电极是与n型硅基体形成欧姆接触的电极，材料为镓铟共晶合金。
3.根据权利要求1所述的一种基于硒化铟/硅的光电探测器，其特征在于，所述顶电极是与硒化铟薄膜形成欧姆接触的电极，材料为铬金电极。
4.根据权利要求1所述的一种基于硒化铟/硅的光电探测器，其特征在于，所述n型硅基体的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm。
5.根据权利要求1所述的一种基于硒化铟/硅的光电探测器，其特征在于，所述二氧化硅隔离层的厚度为200～500nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于硒化铟/硅的光电探测器，其特征在于，所述硒化铟薄膜的厚度为10～30nm。
7.一种权利要求1所述基于硒化铟/硅的光电探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)将商业标准4英寸低掺n型单抛氧化硅片(300nm厚度SiO2，电阻率为1～10Ω·cm，硅部分的厚度为300～500μm)，通过丙酮溶液、异丙醇分别超声3‐5分钟后，用去离子水超声5min并用高纯氮吹干净，在硅片上通过光刻工艺(一次光刻)定义出电极图案，然后采用电子束蒸发技术，生长厚度约为5nm的铬黏附层，再用热蒸发技术生长厚度60nm的金电极，即顶电极，该金电极的宽度为10～50μm，接着进行剥离和清洗工艺；
(2)通过光刻工艺(二次光刻)定义硅窗口图案，并用标准缓冲氧化刻蚀剂BOE溶液(体积比NH4F：HF＝6：1)，通过湿法刻蚀去除的二氧化硅(刻蚀时间4分钟)裸露出硅表面，该硅窗口为边长100～500μm的方孔；
(3)用涉及热喷射的简单胶质合成方法来合成γ‐In2Se3纳米花材料。具体为：将24mmol的二氧化硒和30ml的1‐十八烯倒入100ml的三颈烧瓶中，并在氩气环境中200℃的温度下搅拌加热数小时，直到二氧化硒完全溶解，形成0.8M硒前体溶液。将1mmol氯化铟，8mmol的1‐十六胺，15ml的1‐十八烯和6ml油酸在室温下脱气，然后在220℃加热30分钟，形成透明的黄色铟前体溶液。将8ml的0.8M硒前体溶液迅速注入到加热至220℃的黄色铟前体溶液。将混合物搅拌10分钟，然后冷却到室温，获得固体γ‐In2Se3纳米花。将所获得的固体γ‐In2Se3纳米花通过离心法收集，用氯仿和异丙醇洗涤数次，并在60℃的真空下干燥，得到硒化铟材料。
(4)将步骤3制得的硒化铟材料溶解在乙醇溶剂中，悬涂在顶电极上表面、顶电极内侧壁、二氧化硅隔离层上表面、二氧化硅隔离层内侧壁和硅窗口的上表面，悬涂条件是500r/min,30s。悬涂后在70℃的热板上烘干10min。
(5)在n型硅基体底部涂覆镓铟共晶合金，并用导电铜箔胶带粘接金线至镓铟合金上，引出金线；在上表面的金电极上通过引线键合技术将金线引出。