技术总结
本发明公开了一种基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法，该探测器自下而上依次具有底电极、n型硅基体和开有硅窗口的二氧化硅隔离层，二氧化硅隔离层的上表面覆盖顶电极；顶电极的上表面覆盖硒化铟薄膜，硒化铟薄膜分别与顶电极内侧壁、二氧化硅隔离层上表面、二氧化硅隔离层内侧壁和硅窗口的上表面接触；硒化铟薄膜与n型硅基体接触形成硒化铟/硅异质结。本发明中制备出的γ‐In2Se3材料的薄膜具有窄直接带隙和可见光范围的高吸收系数，该种探测器显示出开关比可达1570的高光电响应，较短响应时间和长期稳定性，此外该光电探测器表现出从紫外到近红外的宽光谱响应特性，这些优异的性能都给更高效的硒化铟/硅光电探测器带来了研究和市场化前景。
技术研发人员：徐杨;刘雪梅;樊先平;陈烁;乔旭升
受保护的技术使用者：浙江大学
文档号码：201611089265
技术研发日：2016.12.01
技术公布日：2017.05.10