一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法与流程

技术特征：

1.一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法，其特征在于，主要步骤如下：

(1)清洗：采用标准RCA清洗方法清洗铸锭多晶硅片；

(2)第一次酸腐蚀：按体积比HNO₃：HF：CH₃COOH＝1:7:3～10:7:3配置腐蚀液，腐蚀液温度为2～10℃，将清洗后的铸锭多晶硅片浸入其中腐蚀40～80s；

(3)碱腐蚀：将处理后的硅片浸入温度为40～90℃、质量分数为5％～15％的NaOH溶液进行碱腐蚀40～120s，然后用去离子水冲洗干净。

(4)第二次酸腐蚀：按体积比HNO₃：HF：H₂O：CH₃COOH＝1:1:2.5:1.5～10:1:2.5:1.5配置腐蚀液，腐蚀液温度为2～10℃，将上述硅片浸入其中腐蚀100～180s；

(5)碱洗：采用温度为40～90℃、质量分数为1％～10％的NaOH溶液对上述处理后的硅片进行清洗10～60s，除去残留的酸腐蚀液以及腐蚀坑上覆盖的疏松结构；

(6)表面钝化：先用标准的RCA液清洗上述硅片，再用质量分数为1～10％的HF溶液浸泡1～10min，最后去离子水冲洗干净，用氮气吹干。